V
CE
I
C
=
=
6500 V
25 A
IGBT -模具
5SMX 12M6500
初步
芯片尺寸： 13.6 X 13.6毫米
文档。第5SYA1627-01 9月5日
损耗低，坚固耐用的SPT技术
平滑切换为良好的EMC
大粘合发射区
钝化： SIPOS和氮化硅加聚酰亚胺
最大额定值
参数
集电极 - 发射极电压
DC集电极电流
峰值集电极电流
栅极 - 发射极电压
IGBT短路SOA
结温
1)
1)
符号条件
V
CES
I
C
I
CM
V
GES
t
PSC
T
vj
V
CC
= 4400 V, V
CEM
≤
6500 V
V
GE
≤
15 V ，T
vj
≤
125 °C
限制T
vjmax
V
GE
= 0 V ，T
vj
≥
25 °C
民
最大
6500
25
50
单位
V
A
A
V
s
°C
-20
20
10
-40
125
最大额定值表示超越其损坏设备的限制，符合IEC 60747 ，可能会发生 - 9
ABB瑞士公司，半导体公司保留更改产品规格，恕不另行通知。
5SMX 12M6500
IGBT特征值
参数
收集器（发射极）
击穿电压
集电极 - 发射极
饱和电压
集电极截止电流
栅极漏电流
栅极 - 发射极阈值电压
栅极电荷
输入电容
输出电容
反向传输电容
内部栅极电阻
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
2)
符号条件
V
（ BR ） CES
V
CE坐
I
CES
I
GES
V
GE （ TO ）
Q
ge
C
IES
C
OES
C
水库
R
GINT
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
CC
= 3600 V，I
C
= 25 A,
R
G
= 82
,
V
GE
=
±15
V,
L
σ
6800 = NH，
感性负载
V
CC
= 3600 V，I
C
= 25 A,
R
G
= 56
,
V
GE
=
±15
V,
L
σ
6800 = NH，
感性负载
V
CC
= 3600 V，I
C
= 25 A,
V
GE
= ± 15 V ，R
G
= 82
,
L
σ
6800 = NH，
感性负载，
FWD: ½ 5SLX12M6500
V
CC
= 3600 V，I
C
= 25 A,
V
GE
= ± 15 V ，R
G
= 56
,
L
σ
6800 = NH，
感性负载
T
vj
= 25 °C
T
vj
= 125 °C
T
vj
= 25 °C
T
vj
= 125 °C
T
vj
= 25 °C
T
vj
= 125 °C
T
vj
= 25 °C
T
vj
= 125 °C
T
vj
= 25 °C
T
vj
= 125 °C
T
vj
= 25 °C
T
vj
= 125 °C
V
GE
= 0 V，I
C
= 1毫安，T
vj
= 25 °C
I
C
= 25 A，V
GE
= 15 V
V
CE
= 6500 V, V
GE
= 0 V
T
vj
= 25 °C
T
vj
= 125 °C
T
vj
= 25 °C
T
vj
= 125 °C
民
6500
典型值
最大
单位
V
4.2
5.4
10
4000
-200
6
400
6.28
0.38
0.06
5
690
550
340
270
1430
1450
540
690
180
200
8
V
V
A
A
nA
V
nC
nF
ns
ns
ns
ns
V
CE
= 0 V, V
GE
=
±20
V，T
vj
= 125 °C
I
C
= 10 mA时， V
CE
= V
GE
, T
vj
= 25 °C
I
C
= 25 A，V
CE
= 3600 V, V
GE
= -15 ..15 V
V
CE
= 25 V, V
GE
= 0 V ， F = 1MHz时，
T
vj
= 25 °C
导通开关能量
E
on
mJ
200
85
mJ
130
110
A
关断开关能量
E
关闭
短路电流
2)
I
SC
t
PSC
≤
10
μs,
V
GE
= 15 V ，T
vj
= 125 °C,
V
CC
= 4400 V, V
CEM
≤
6500 V
9 - 根据IEC 60747的特征值
ABB瑞士公司，半导体公司保留更改产品规格，恕不另行通知。
文档。第5SYA1627-01 9月5日
页2的5
5SMX 12M6500
机械性能
参数
整体模L
x
W
尺寸
裸露
L
x
W（除闸垫）
正面金属
门垫
厚度
金属化
3)
3)
单位
13.6
x
13.6
9.52
x
9.5
1.56
x
1.53
670 ± 20
AlSi1
AlSi1 + TiNiAg
4
1.8 + 1.2
mm
mm
mm
m
m
m
L
x
W
前（ E）
背面（℃）
组装说明，请参阅：从ABB瑞士公司，半导体，医生IGBT和二极管芯片。第5SYA 2033 。
外形绘图
1.80
1.56
±0.05
G
13.56
±0.05
1.53
±0.05
1.77
9.95
9.52
辐射源
9.50
9.92
13.56
±0.05
注：所有尺寸以毫米
这是静电敏感器件，请遵守了国际标准IEC 60747-1 ，第一章。 IX 。
该产品的设计和工业级合格。
ABB瑞士公司，半导体公司保留更改产品规格，恕不另行通知。
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第3 5
5SMX 12M6500
50
50
V
CE
= 20 V
40
25 °C
30
I
C
[A]
125 °C
I
C
[A]
20
40
30
20
25 °C
125 °C
10
10
V
GE
= 15V
0
0
1
2
3
4
V
CE
[V]
5
6
7
8
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9 10 11 12 13
V
GE
[V]
图。 1
典型通态特性
图。 2
典型的传输特性
0.6
V
CC
= 3600V
R
坤
= 82欧姆
R
高夫
= 56欧姆
V
GE
= ±15V
TVJ = 125°C
L
s
= 6.8 H
E
on
, E
关闭
[J]
0.6
V
CC
= 3600 V
I
C
= 25A
V
GE
= ±15 V
T
vj
= 125 °C
L
σ
= 6.8 H
0.5
0.5
0.4
E
on
, E
关闭
[J]
0.4
E
on
0.3
0.3
E
on
0.2
E
关闭
0.2
0.1
E
sw
[J ] = 1.5 ×10
-4
0.1
X我
C
+ 8.1 x 10
2
-3
E
关闭
X我
C
+ 0.03
0
0
10
20
30
I
C
[A]
40
50
0
0
100
200
300
R
G
[欧]
400
500
600
图。 3
典型的开关特性VS
集电极电流
图。 4
典型的开关特性VS
栅极电阻
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第4 5
5SMX 12M6500
20
10
C
IES
V
CC
= 3600 V
15
V
CC
= 4400 V
V
GE
[V]
C [ nF的]
1
10
C
OES
0.1
5
C
水库
V
GE
= 0V
f
OSC
= 1兆赫
V
OSC
= 50毫伏
0.01
I
C
= 25 A
T
vj
= 25 °C
0
0
0.1
0.2
Q
g
[C]
0.3
0.4
0
5
10
15
20
V
CE
[V]
25
30
35
图。五
典型栅极电荷特性
图。 6
典型的电容VS
集电极 - 发射极电压
ABB瑞士公司，半导体公司保留更改产品规格，恕不另行通知。
ABB瑞士公司
半导体
Fabrikstrasse 3
CH -5600伦茨堡，瑞士
电话
传真
电子邮件
因特网
+41 (0)58 586 1419
+41 (0)58 586 1306
abbsem@ch.abb.com
www.abb.com/semiconductors
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