V
CE
I
C
=
=
2500 V
54 A
IGBT -模具
5SMX 12L2511
芯片尺寸： 12.4 X 12.4毫米
文档。第5SYA1640-00 3月7日
损耗低，坚固耐用的SPT技术
平滑切换为良好的EMC
发射金属化的压装的包装优化
钝化： SIPOS和氮化硅
最大额定值
参数
集电极 - 发射极电压
DC集电极电流
峰值集电极电流
栅极 - 发射极电压
IGBT短路SOA
结温
1)
1)
符号条件
V
CES
I
C
I
CM
V
GES
t
PSC
T
vj
V
CC
= 2000 V, V
CEM
≤
2500 V
V
GE
≤
15 V ，T
vj
≤
125 °C
限制T
vjmax
V
GE
= 0 V
民
最大
2500
54
108
单位
V
A
A
V
s
°C
-20
20
10
-40
125
最大额定值表示超越其损坏设备的限制，符合IEC 60747 ，可能会发生 - 9
ABB瑞士公司，半导体公司保留更改产品规格，恕不另行通知。
5SMX 12L2511
IGBT特征值
参数
收集器（发射极）
击穿电压
集电极 - 发射极
饱和电压
集电极截止电流
栅极漏电流
栅极 - 发射极阈值电压
栅极电荷
输入电容
输出电容
反向传输电容
内部栅极电阻
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
2)
符号条件
V
（ BR ） CES
V
CE坐
I
CES
I
GES
V
GE （ TO ）
Q
ge
C
IES
C
OES
C
水库
R
GINT
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
CC
= 1250 V，I
C
= 54 A,
R
G
= 33
,
V
GE
=
±15
V,
L
σ
2400 = NH，
感性负载
V
CC
= 1250 V，I
C
= 54 A,
R
G
= 33
,
V
GE
=
±15
V,
L
σ
2400 = NH，
感性负载
V
CC
= 1250 V，I
C
= 54 A,
V
GE
= ± 15 V ，R
G
= 33
,
L
σ
2400 = NH，
感性负载，
FWD: ½ 5SLX12L2507
V
CC
= 1250 V，I
C
= 54 A,
V
GE
= ± 15 V ，R
G
= 33
,
L
σ
2400 = NH，
感性负载
T
vj
= 25 °C
T
vj
= 125 °C
T
vj
= 25 °C
T
vj
= 125 °C
T
vj
= 25 °C
T
vj
= 125 °C
T
vj
= 25 °C
T
vj
= 125 °C
T
vj
= 25 °C
T
vj
= 125 °C
T
vj
= 25 °C
T
vj
= 125 °C
V
GE
= 0 V，I
C
= 1毫安，T
vj
= 25 °C
I
C
= 54 A，V
GE
= 15 V
V
CE
= 2500 V, V
GE
= 0 V
T
vj
= 25 °C
T
vj
= 125 °C
T
vj
= 25 °C
T
vj
= 125 °C
民
2500
典型值
最大
单位
V
2.2
2.7
100
1000
-500
5
480
6.7
0.43
0.14
5
350
350
280
280
810
910
370
430
36
500
7.5
V
V
A
A
nA
V
nC
nF
ns
ns
ns
ns
V
CE
= 0 V, V
GE
=
±20
V，T
vj
= 125 °C
I
C
= 10 mA时， V
CE
= V
GE
, T
vj
= 25 °C
I
C
= 54 A，V
CE
= 1250 V, V
GE
= -15 ..15 V
V
CE
= 25 V, V
GE
= 0 V ， F = 1MHz时，
T
vj
= 25 °C
导通开关能量
E
on
mJ
48
68
mJ
85
250
A
关断开关能量
E
关闭
短路电流
2)
I
SC
t
PSC
≤
10
μs,
V
GE
= 15 V ，T
vj
= 125 °C,
V
CC
= 2000 V, V
CEM
≤
2500 V
9 - 根据IEC 60747的特征值
ABB瑞士公司，半导体公司保留更改产品规格，恕不另行通知。
文档。第5SYA1640-00 3月7日
页2的5
5SMX 12L2511
机械性能
参数
整体模L
x
W
尺寸
裸露
L
x
W（除闸垫）
正面金属
门垫
厚度
金属化
3)
3)
单位
12.4
x
12.4
9.0
x
9.0
1.46
x
1.61
310 ± 20
AlSi1 + TiNiAg
AlSi1 + TiNiAg
4+4
1.8 + 1.2
mm
mm
mm
m
m
m
L
x
W
前（ E）
背面（℃）
组装说明，请参阅：从ABB瑞士公司，半导体，医生IGBT和二极管芯片。第5SYA 2033 。
外形绘图
12.38
±0.05
10.67
+0.04
9.00
-0
注：所有尺寸以毫米
这是静电敏感器件，请遵守了国际标准IEC 60747-1 ，第一章。 IX 。
该产品的设计和工业级合格。
ABB瑞士公司，半导体公司保留更改产品规格，恕不另行通知。
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第3 5
1.61
±0.05
+0.04
1.90
-0
5SMX 12L2511
162
162
V
CE
= 20 V
135
25 °C
108
125 °C
I
C
[A]
81
I
C
[A]
135
108
81
54
54
125 °C
27
V
GE
= 15 V
0
0
1
2
3
4
5
6
7
V
CE
[V]
27
25 °C
0
0
2
4
6
8
V
GE
[V]
10
12
14
16
图。 1
典型通态特性
图。 2
典型的传输特性
300
V
CC
= 1250 V
R
G
= 33欧姆
V
GE
= ±15 V
T
vj
= 125 °C
L
σ
= 2.4 H
E
on
120
250
100
E
关闭
E
关闭
E
on
, E
关闭
[兆焦耳]
80
200
E
on
, E
关闭
[兆焦耳]
150
60
100
40
E
on
V
CC
= 1250 V
I
C
= 54 A
V
GE
= ±15 V
T
vj
= 125 °C
L
σ
= 2.4 H
0
20
40
60
80
100
120
140
50
E
sw
[兆焦耳= 0.94 ×10
-2
X我
C2
+ 1.36 ×1
C
+ 9.77
20
0
0
27
54
81
I
C
[A]
108
135
162
0
R
G
[欧]
图。 3
典型的开关特性VS
集电极电流
图。 4
典型的开关特性VS
栅极电阻
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第4 5
5SMX 12L2511
20
10
C
IES
V
CC
= 1250 V
15
V
CC
= 1800 V
V
GE
[V]
C [ nF的]
10
1
C
OES
5
V
GE
= 0 V
f
OSC
= 1兆赫
V
OSC
= 50毫伏
0.1
0.10
0.20
0.30
Q
g
[C]
0.40
0.50
0
5
C
水库
I
C
= 54 A
T
vj
= 25 °C
0
0.00
10
15
20
V
CE
[V]
25
30
35
图。五
典型栅极电荷特性
图。 6
典型的电容VS
集电极 - 发射极电压
ABB瑞士公司，半导体公司保留更改产品规格，恕不另行通知。
ABB瑞士公司
半导体
Fabrikstrasse 3
CH -5600伦茨堡，瑞士
电话
传真
电子邮件
因特网
+41 (0)58 586 1419
+41 (0)58 586 1306
abbsem@ch.abb.com
www.abb.com/semiconductors
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