V
CE
I
C
=
=
3300 V
50 A
IGBT -模具
5SMX 12M3300
芯片尺寸： 13.6 X 13.6毫米
文档。第5SYA1621-02 9月5日
损耗低，坚固耐用的SPT技术
平滑切换为良好的EMC
大粘合发射区
钝化： SIPOS和氮化硅加聚酰亚胺
最大额定值
参数
集电极 - 发射极电压
DC集电极电流
峰值集电极电流
栅极 - 发射极电压
IGBT短路SOA
结温
1)
1)
符号条件
V
CES
I
C
I
CM
V
GES
t
PSC
T
vj
V
CC
= 2500 V, V
CEM
≤
3300 V
V
GE
≤
15 V ，T
vj
≤
125 °C
限制T
vjmax
V
GE
= 0 V
民
最大
3300
50
100
单位
V
A
A
V
s
°C
-20
20
10
-40
125
最大额定值表示超越其损坏设备的限制，符合IEC 60747 ，可能会发生 - 9
ABB瑞士公司，半导体公司保留更改产品规格，恕不另行通知。
5SMX 12M3300
IGBT特征值
参数
集电极 - 发射极
饱和电压
集电极截止电流
栅极漏电流
栅极 - 发射极阈值电压
栅极电荷
输入电容
输出电容
反向传输电容
内部栅极电阻
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
2)
符号条件
V
CE坐
I
CES
I
GES
V
GE （ TO ）
Q
ge
C
IES
C
OES
C
水库
R
GINT
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
CC
= 1800 V，I
C
= 50 A,
R
G
= 33
,
V
GE
=
±15
V,
L
σ
2400 = NH，
感性负载
V
CC
= 1800 V，I
C
= 50 A,
R
G
= 33
,
V
GE
=
±15
V,
L
σ
2400 = NH，
感性负载
V
CC
= 1800 V，I
C
= 50 A,
V
GE
= ± 15 V ，R
G
= 33
,
L
σ
2400 = NH，
感性负载，
FWD: ½ 5SLX12M3301
V
CC
= 1800 V，I
C
= 50 A,
V
GE
= ± 15 V ，R
G
= 33
,
L
σ
2400 = NH，
感性负载
T
vj
= 25 °C
T
vj
= 125 °C
T
vj
= 25 °C
T
vj
= 125 °C
T
vj
= 25 °C
T
vj
= 125 °C
T
vj
= 25 °C
T
vj
= 125 °C
T
vj
= 25 °C
T
vj
= 125 °C
T
vj
= 25 °C
T
vj
= 125 °C
I
C
= 50 A，V
GE
= 15 V
V
CE
= 3300 V, V
GE
= 0 V
T
vj
= 25 °C
T
vj
= 125 °C
T
vj
= 25 °C
T
vj
= 125 °C
民
2.6
典型值
3.1
3.8
最大
3.5
100
单位
V
V
A
A
nA
V
nC
nF
ns
ns
ns
ns
1000
-500
5.5
500
7.8
0.35
0.09
5
350
330
190
200
1140
1250
750
770
50
500
7.5
V
CE
= 0 V, V
GE
=
±20
V，T
vj
= 125 °C
I
C
= 10 mA时， V
CE
= V
GE
, T
vj
= 25 °C
I
C
= 50 A，V
CE
= 1800 V, V
GE
= -15 ..15 V
V
CE
= 25 V, V
GE
= 0 V ， F = 1MHz时，
T
vj
= 25 °C
导通开关能量
E
on
mJ
72
67
mJ
84
190
A
关断开关能量
E
关闭
短路电流
2)
I
SC
t
PSC
≤
10
μs,
V
GE
= 15 V ，T
vj
= 125 °C,
V
CC
= 2500 V, V
CEM
≤
3300 V
9 - 根据IEC 60747的特征值
ABB瑞士公司，半导体公司保留更改产品规格，恕不另行通知。
文档。第5SYA1621-02 9月5日
页2的5
5SMX 12M3300
机械性能
参数
整体模L
x
W
尺寸
裸露
L
x
W（除闸垫）
正面金属
门垫
厚度
金属化
3)
3)
单位
13.6
x
13.6
10.48
x
10.48
1.5
x
1.47
385 ± 20
AlSi1
AlSi1 + TiNiAg
4
1.8 + 1.2
mm
mm
mm
m
m
m
L
x
W
前（ E）
背面（℃）
组装说明，请参阅：从ABB瑞士公司，半导体，医生IGBT和二极管芯片。第5SYA 2033 。
外形绘图
G
辐射源
注：所有尺寸以毫米
这是静电敏感器件，请遵守了国际标准IEC 60747-1 ，第一章。 IX 。
该产品的设计和工业级合格。
ABB瑞士公司，半导体公司保留更改产品规格，恕不另行通知。
文档。第5SYA1621-02 9月5日
第3 5
5SMX 12M3300
100
90
25°C
80
70
60
I
C
[A]
50
40
30
20
10
0
0
1
2
3
V
CE
[V]
4
5
6
V
GE
= 15V
I
C
[A]
125°C
100
V
CE
= 20V
90
80
70
60
50
40
30
125°C
20
25°C
10
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9 10 11 12 13
V
GE
[V]
图。 1
典型通态特性
图。 2
典型的传输特性
0.40
0.35
0.30
0.25
0.20
0.15
0.10
E
关闭
V
CC
= 1800 V
R
G
= 33欧姆
V
GE
= ±15 V
T
vj
= 125 °C
L
σ
= 2400 nH的
E
on
EON，的Eoff [ J]
0.20
V
CC
= 1800 V
I
C
= 50 A
V
GE
= ±15 V
T
vj
= 125 °C
L
σ
= 2400 nH的
0.16
EON，的Eoff [ J]
0.12
E
on
0.08
E
关闭
0.04
0.05
0.00
0
25
50
75
IC [ A]
100
125
150
0.00
0
25
50
75
R
G
[欧]
100
125
150
图。 3
典型的开关特性VS
集电极电流
图。 4
典型的开关特性VS
栅极电阻
ABB瑞士公司，半导体公司保留更改产品规格，恕不另行通知。
文档。第5SYA1621-02 9月5日
第4 5
5SMX 12M3300
20
V
CC
= 1800
10
C
IES
15
V
CC
= 2500
V
GE
[V]
C [ nF的]
1
V
GE
= 0 V
f
OSC
= 1兆赫
V
OSC
= 50毫伏
C
OES
10
0.1
C
水库
5
I
C
= 50 A
T
vj
= 25 °C
0
0.0
0.1
0.2
0.3
Q
g
[C]
0.4
0.5
0.01
0
5
10
15
20
V
CE
[V]
25
30
35
图。五
典型栅极电荷特性
图。 6
典型的电容VS
集电极 - 发射极电压
ABB瑞士公司，半导体公司保留更改产品规格，恕不另行通知。
ABB瑞士公司
半导体
Fabrikstrasse 3
CH -5600伦茨堡，瑞士
电话
传真
电子邮件
因特网
+41 (0)58 586 1419
+41 (0)58 586 1306
abbsem@ch.abb.com
www.abb.com/semiconductors
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