V
CE
I
C
=
=
6500 V
600 A
ABB HiPak
TM
IGBT模块
5SNA 0600G650100
文档。第5SYA1558-02 1月06
损耗低，坚固耐用SPT芯片组
平滑切换SPT芯片组为
良好的EMC
高绝缘封装
铝碳化硅基片用于高功率
循环能力
对于低热AlN基板
阻力
最大额定值
参数
集电极 - 发射极电压
DC集电极电流
峰值集电极电流
栅极 - 发射极电压
总功耗
直流正向电流
最大正向电流
浪涌电流
IGBT短路SOA
隔离电压
结温
1)
符号
V
CES
I
C
I
CM
V
GES
P
合计
I
F
I
FRM
I
FSM
t
PSC
V
ISOL
T
vj
T
VJ （ OP ）
T
c
T
英镑
M
s
条件
V
GE
= 0 V ，T
vj
≥
25 °C
T
c
= 85 °C
t
p
= 1毫秒，T
c
= 85 °C
民
最大
6500
600
1200
单位
V
A
A
V
W
A
A
A
s
V
°C
°C
°C
°C
Nm
-20
T
c
= 25 ° C，每开关（ IGBT ）
20
11900
600
1200
V
R
= 0 V ，T
vj
= 125 °C,
t
p
= 10毫秒，半正弦波
V
CC
= 4400 V, V
CEM CHIP
≤
6500 V
V
GE
≤
15 V ，T
vj
≤
125 °C
1分钟中，f = 50Hz的
-40
-40
-40
底座散热器， M6螺钉
主终端， M8螺丝
辅助端子， M4螺丝
4
8
2
6000
10
10200
125
125
125
125
6
10
3
结工作温度
外壳温度
储存温度
安装力矩
1)
2)
2)
M
t1
M
t2
最大额定值的界限，表明损坏设备符合IEC 60747 ，可能会出现
有关详细的安装说明，请参阅ABB号文件5SYA2039
ABB瑞士公司，半导体公司保留更改产品规格，恕不另行通知。
5SNA 0600G650100
IGBT特征值
参数
收集器（发射极）
击穿电压
集电极 - 发射极
4)
饱和电压
集电极截止电流
栅极漏电流
栅极 - 发射极阈值电压
栅极电荷
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
3)
符号
V
（ BR ） CES
V
CE坐
I
CES
I
GES
V
GE （ TO ）
Q
ge
C
IES
C
OES
C
水库
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
条件
V
GE
= 0 V，I
C
= 10毫安，T
vj
= 25 °C
I
C
= 600 A，V
GE
= 15 V
V
CE
= 6500 V, V
GE
= 0 V
T
vj
= 25 °C
T
vj
= 125 °C
T
vj
= 25 °C
T
vj
= 125 °C
民
6500
典型值
最大
单位
V
4.2
5.4
70
-500
6.5
7.4
8.0
143
4.8
5.9
12
120
500
8.0
V
V
mA
mA
nA
V
C
V
CE
= 0 V, V
GE
=
±20
V，T
vj
= 125 °C
I
C
= 240毫安， V
CE
= V
GE
, T
vj
= 25 °C
I
C
= 600 A，V
CE
= 3600 V,
V
GE
= -15 V .. 15 V
V
CE
= 25 V, V
GE
= 0 V ， F = 1MHz时，
T
vj
= 25 °C
V
CC
= 3600 V,
I
C
= 600 A,
R
G
= 3.9
,
V
GE
=
±15
V,
L
σ
= 280 nH的，感性负载
V
CC
= 3600 V,
I
C
= 600 A,
R
G
= 3.9
,
V
GE
=
±15
V,
L
σ
= 280 nH的，感性负载
V
CC
= 3600 V，I
C
= 600 A,
V
GE
= ± 15 V ，R
G
= 3.9
,
L
σ
= 280 nH的，感性负载
V
CC
= 3600 V，I
C
= 600 A,
V
GE
= ± 15 V ，R
G
= 3.9
,
L
σ
= 280 nH的，感性负载
T
vj
= 25 °C
T
vj
= 125 °C
T
vj
= 25 °C
T
vj
= 125 °C
T
vj
= 25 °C
T
vj
= 125 °C
T
vj
= 25 °C
T
vj
= 125 °C
T
vj
= 25 °C
T
vj
= 125 °C
T
vj
= 25 °C
T
vj
= 125 °C
6.62
1.27
640
570
270
240
1540
1860
620
960
3800
nF
ns
ns
ns
ns
导通开关能量
E
on
mJ
4900
1950
mJ
3150
2700
18
A
nH
m
关断开关能量
短路电流
模块的杂散电感
性，终端芯片
3)
4)
E
关闭
I
SC
L
σ
CE
R
CC' + EE '
t
PSC
≤
10
μs,
V
GE
= 15 V ，T
vj
= 125 °C,
V
CC
= 4400 V, V
CEM CHIP
≤
6500 V
T
C
= 25 °C
T
C
= 125 °C
0.07
0.1
9 - 根据IEC 60747的特征值
集电极 - 发射极饱和电压给定的芯片级
ABB瑞士公司，半导体公司保留更改产品规格，恕不另行通知。
文档。第5SYA1558-02 1月06
第2 9
5SNA 0600G650100
二极管特性值
参数
正向电压
6)
5)
符号
V
F
I
rr
Q
rr
t
rr
E
REC
条件
I
F
= 600 A
T
vj
= 25 °C
T
vj
= 125 °C
T
vj
= 25 °C
V
CC
= 3600 V,
I
F
= 600 A,
V
GE
=
±15
V,
R
G
= 3.9
L
σ
= 280 nH的
感性负载
T
vj
= 125 °C
T
vj
= 25 °C
T
vj
= 125 °C
T
vj
= 25 °C
T
vj
= 125 °C
T
vj
= 25 °C
T
vj
= 125 °C
民
典型值
3.2
3.4
790
990
700
1200
1700
2200
1100
2200
最大
3.8
4.0
单位
V
A
C
ns
mJ
反向恢复电流
恢复电荷
反向恢复时间
反向恢复能量
5)
6)
2 - 符合IEC 60747的特征值
正向电压被给定在芯片级
7)
包属性
参数
IGBT热阻
结到外壳
二极管热阻
结到外壳
热阻案例
散热器来
符号
R
日（J -C ）的IGBT
R
日（J -C ）二极管
2)
条件
民
典型值
最大
单位
0.011 K / W
0.021 K / W
每个模块，
λ
油脂= 1W / M
x
K
F = 50赫兹，Q
PD
≤
10PC （符合IEC 61287 ） 5100
≥
600
0.006
K / W
V
R
TH （ C- S）
V
e
CTI
局部放电熄灭
电压
漏电起痕指数
2)
有关详细的安装说明，请参阅ABB号文件5SYA2039
7)
机械性能
参数
尺寸
在空气间隙距离
表面爬电距离
块
7)
符号
L
x
W
d
a
d
s
m
x
条件
根据IEC 60664-1期限。基地：
和EN 50124-1
期限。足月：
根据IEC 60664-1期限。基地：
和EN 50124-1
期限。足月：
民
40
26
64
56
典型值
最大
单位
mm
mm
mm
典型，看外形图
190
x
140
x
48
1760
g
15 - 根据IEC 60747包和力学性能
ABB瑞士公司，半导体公司保留更改产品规格，恕不另行通知。
文档。第5SYA1558-02 1月06
第3 9
5SNA 0600G650100
电气配置
5
3
7
9
2
1
4
6
8
外形绘图
2)
注：所有尺寸以毫米
2)
有关详细的安装说明，请参阅ABB号文件5SYA2039
这是静电敏感器件，请遵守了国际标准IEC 60747-1 ，第一章。 IX 。
该产品的设计和工业级合格。
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文档。第5SYA1558-02 1月06
第4页第9
5SNA 0600G650100
1200
1200
V
CE
= 20 V
1000
25 °C
800
125 °C
I
C
[A]
600
1000
800
I
C
[A]
600
400
400
125 °C
25 °C
200
V
GE
= 15V
200
0
0
1
2
3
4
V
CE
[V]
5
6
7
8
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9 10 11 12 13
V
GE
[V]
图。 1
典型通态特性，芯片级
图。 2
典型的传输特性，芯片级
1200
1200
17V
1000
17V
800
15V
I
C
[A]
13V
600
11V
1000
15V
13V
800
11V
I
C
[A]
600
400
400
9V
200
9V
T
vj
= 25 °C
200
T
vj
= 125 °C
0
8
0
1
2
3
4
5
V
CE
[V]
6
7
8
9
10
0
0
1
2
3
4
V
CE
[V]
5
6
7
图。 3
典型的输出特性，芯片级
图。 4
典型的输出特性，芯片级
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文档。第5SYA1558-02 1月06
第5 9
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