V
CE
I
C
=
=
3300 V
1500 A
ABB HiPak
TM
IGBT模块
5SNA 1500E330300
文档。第5SYA 1595至1500年7月7日
超低损耗，坚固耐用SPT
+
芯片组
平滑切换SPT
+
芯片组为
良好的EMC
行业标准包装
高功率密度
铝碳化硅基片用于高功率
循环能力
对于低热AlN基板
阻力
最大额定值
参数
集电极 - 发射极电压
DC集电极电流
峰值集电极电流
栅极 - 发射极电压
总功耗
直流正向电流
最大正向电流
浪涌电流
IGBT短路SOA
隔离电压
结温
结工作温度
外壳温度
储存温度
安装力矩
1)
2)
2)
1)
符号
V
CES
I
C
I
CM
V
GES
P
合计
I
F
I
FRM
I
FSM
t
PSC
V
ISOL
T
vj
T
VJ （ OP ）
T
c
T
英镑
M
s
M
t1
M
t2
条件
V
GE
= 0 V
T
c
= 85 °C
t
p
= 1毫秒，T
c
= 85 °C
民
最大
3300
1500
3000
单位
V
A
A
V
W
A
A
A
s
V
°C
°C
°C
°C
Nm
-20
T
c
= 25 ° C，每开关（ IGBT ）
20
11750
1500
3000
V
R
= 0 V ，T
vj
= 125 °C,
t
p
= 10毫秒，半正弦波
V
CC
= 2500 V, V
CEM CHIP
≤
3300 V
V
GE
≤
15 V ，T
vj
≤
125 °C
1分钟中，f = 50Hz的
-40
-40
-40
底座散热器， M6螺钉
主终端， M8螺丝
辅助端子， M4螺丝
4
8
2
14000
10
6000
150
125
125
125
6
10
3
最大额定值的界限，表明损坏设备符合IEC 60747 ，可能会出现
有关详细的安装说明，请参阅ABB号文件5SYA2039
ABB瑞士公司，半导体公司保留更改产品规格，恕不另行通知。
5SNA 1500E330300
IGBT特征值
参数
收集器（发射极）
击穿电压
集电极 - 发射极
4)
饱和电压
集电极截止电流
栅极漏电流
栅极 - 发射极阈值电压
栅极电荷
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
3)
符号
V
（ BR ） CES
V
CE坐
I
CES
I
GES
V
GE （ TO ）
Q
ge
C
IES
C
OES
C
水库
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
条件
V
GE
= 0 V，I
C
= 10毫安，T
vj
= 25 °C
I
C
= 1500 ，V
GE
= 15 V
V
CE
= 3300 V, V
GE
= 0 V
T
vj
= 25 °C
T
vj
= 125 °C
T
vj
= 25 °C
T
vj
= 125 °C
民
3300
典型值
最大
单位
V
2.4
3.0
3.4
12
120
-500
4.5
11.0
152
500
6.5
V
V
mA
mA
nA
V
C
V
CE
= 0 V, V
GE
=
±20
V，T
vj
= 125 °C
I
C
= 240毫安， V
CE
= V
GE
, T
vj
= 25 °C
I
C
= 1500 ，V
CE
= 1800 V,
V
GE
= -15 V .. 15 V
V
CE
= 25 V, V
GE
= 0 V ， F = 1MHz时，
T
vj
= 25 °C
V
CC
= 1800 V,
I
C
= 1500 A,
R
G
= 1.0
,
C
GE
= 220 nF的，
V
GE
=
±15
V,
L
σ
= 100 nH的，感性负载
V
CC
= 1800 V,
I
C
= 1500 A,
R
G
= 1.5
,
C
GE
= 220 nF的，
V
GE
=
±15
V,
L
σ
= 100 nH的，感性负载
V
CC
= 1800 V,
I
C
= 1500 A,
R
G
= 1.0
,
C
GE
= 220 nF的，
V
GE
= ±15 V,
L
σ
= 100 nH的，感性负载
T
vj
= 25 °C
T
vj
= 125 °C
T
vj
= 25 °C
T
vj
= 125 °C
T
vj
= 25 °C
T
vj
= 125 °C
T
vj
= 25 °C
T
vj
= 125 °C
T
vj
= 25 °C
12.2
3.77
600
570
220
250
1480
1680
380
470
1380
nF
ns
ns
ns
ns
导通开关能量
E
on
mJ
T
vj
= 125 °C
2000
关断开关能量
E
关闭
V
CC
= 1800 V,
I
C
= 1500 A,
R
G
= 1.5
,
C
GE
= 220 nF的，
V
GE
= ±15 V,
L
σ
= 100 nH的，感性负载
T
vj
= 25 °C
1940
mJ
T
vj
= 125 °C
2680
短路电流
模块的杂散电感
性，终端芯片
3)
4)
I
SC
L
σ
CE
R
CC' + EE '
t
PSC
≤
10
μs,
V
GE
= 15 V ，T
vj
= 125 °C,
V
CC
= 2500 V, V
CEM CHIP
≤
3300 V
T
C
= 25 °C
T
C
= 125 °C
6500
10
0.06
0.085
A
nH
m
9 - 根据IEC 60747的特征值
集电极 - 发射极饱和电压给定的芯片级
ABB瑞士公司，半导体公司保留更改产品规格，恕不另行通知。
文档。第5SYA 1595至1500年7月7日
第2 9
5SNA 1500E330300
二极管特性值
参数
正向电压
6)
5)
符号
V
F
I
rr
Q
rr
t
rr
E
REC
条件
I
F
= 1500 A
T
vj
= 25 °C
T
vj
= 125 °C
T
vj
= 25 °C
V
CC
= 1800 V,
I
F
= 1500 A,
V
GE
=
±15
V,
R
G
= 1.0
,
C
GE
= 220 nF的，
L
σ
= 100 nH的
感性负载
T
vj
= 125 °C
T
vj
= 25 °C
T
vj
= 125 °C
T
vj
= 25 °C
T
vj
= 125 °C
T
vj
= 25 °C
T
vj
= 125 °C
民
典型值
2.0
2.1
1850
2100
960
1590
750
1160
1200
2030
最大
2.55
单位
V
A
C
ns
mJ
反向恢复电流
恢复电荷
反向恢复时间
反向恢复能量
5)
6)
2 - 符合IEC 60747的特征值
正向电压被给定在芯片级
热性能
参数
IGBT热阻
结到外壳
7)
符号
R
日（J -C ）的IGBT
R
日（J -C ）二极管
2)
条件
民
典型值
最大
单位
0.0085 K / W
0.017 K / W
0.009
0.018
K / W
K / W
二极管热阻
结到外壳
IGBT热阻
案件散热器
二极管热阻
案件散热器
2)
R
TH（ C-S ）的IGBT
每个开关IGBT ，
λ
油脂= 1W / M
x
K
R
TH（ C-S ）二极管
每个开关二极管，
λ
油脂= 1W / M
x
K
7)
有关详细的安装说明，请参阅ABB号文件5SYA2039
机械性能
参数
尺寸
在空气间隙距离
表面爬电距离
块
7)
7)
符号
L
x
W
d
a
d
s
m
x
条件
根据IEC 60664-1期限。基地：
和EN 50124-1
期限。足月：
根据IEC 60664-1期限。基地：
和EN 50124-1
期限。足月：
民
23
19
33
32
典型值
最大
单位
mm
mm
mm
典型，看外形图
190
x
140
x
38
1380
g
15 - 根据IEC 60747的热性能和机械性能
ABB瑞士公司，半导体公司保留更改产品规格，恕不另行通知。
文档。第5SYA 1595至1500年7月7日
第3 9
5SNA 1500E330300
电气配置
外形绘图
2)
注：所有尺寸以毫米
2)
有关详细的安装说明，请参阅ABB号文件5SYA2039
这是静电敏感器件，请遵守了国际标准IEC 60747-1 ，第一章。 IX 。
该产品的设计和工业级合格。
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文档。第5SYA 1595至1500年7月7日
第4页第9
5SNA 1500E330300
3000
3000
V
CE
= 20 V
2500
25 °C
2000
125 °C
I
C
[A]
1500
I
C
[A]
2500
2000
1500
125 °C
1000
1000
25 °C
500
V
GE
= 15V
0
0
1
2
V
CE
[V]
3
4
5
500
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9 10 11 12 13
V
GE
[V]
图。 1
典型通态特性，芯片级
图。 2
典型的传输特性，芯片级
3000
3000
19 V
17 V
15 V
13 V
19 V
17 V
2500
15 V
13 V
2000
11 V
1500
2500
2000
1500
11 V
1000
I
C
[A]
I
C
[A]
1000
9V
500
9V
T
vj
= 25 °C
500
T
vj
= 125 °C
0
5
0
1
2
3
V
CESAT
[V]
4
5
6
0
0
1
2
V
CESAT
[V]
3
4
图。 3
典型的输出特性，芯片级
图。 4
典型的输出特性，芯片级
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文档。第5SYA 1595至1500年7月7日
第5 9
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