- 多路智力竞赛抢答器的设计（综合性实验）2012/9/16 15:59:23 2012/9/16 15:59:23
- 多路智力竞赛抢答器的W005G-E4/51设计（综合性实验）1．实验目的(1)学习数字电路中D触发器、分频电路、多谐振荡器、CP时钟脉冲源等单元电路的综合运用。(2)熟悉智力竞赛抢答器的工作原...[全文]
- 观察相频特性2012/9/14 19:28:42 2012/9/14 19:28:42
- 观察相频特性：用波Z85C3010PCS特图仪观察相频特性，参数设置参考值为：特性测量选择“Phase”，Vertical坐标类型选择“Lin”，其坐标范围选择起点I为“00"、终点F为“-90...[全文]
- 二极管伏安特性测试2012/9/10 21:25:31 2012/9/10 21:25:31
- 1．半导体二极管C8051F020的选择点接触二极管的工作频率高，但承受电压不高，允许通过的电流也小，多用于检波、小电流整流或高频开关电路；面接触二极管的工作电流和能承受功率较大，但适用的频率较低...[全文]
- 植锡工具的选用2012/9/9 11:47:26 2012/9/9 11:47:26
- 目前在一些新型电XC2V3000FG676子设备（如数码相机、手机等）中，普遍采用了先进的BGA芯片。BGA是球栅阵列封装(Ballgridarrays)的缩写，BGA技术可大大缩小电子设备的...[全文]
- 测量误差2012/9/8 17:43:55 2012/9/8 17:43:55
- 1．真值测量的目的是希望通过测量8N60求取被测量的真值(truevalue)。所谓“真值”，是指在一定条件下被测量客观存在的真正值。一般情况下，真值往往是洌不到的。人们常用约定真值来代替真值...[全文]
- 稳压二极管构成的稳压电路2012/9/7 19:25:28 2012/9/7 19:25:28
- 稳压二极管作调整T1451A元件构成的稳压电路如图14-22所示。电路中调整元件采用硅稳压二极管，供电电压用电阻厅限流后，在负载上并联稳压二极管。输出的稳定电压由稳压管的稳压值决定。...[全文]
- 常用的单向晶闸管和双向晶闸管2012/9/3 19:45:48 2012/9/3 19:45:48
- 下面重点介绍一下常用的OB2269单向晶闸管和双向晶闸管。1．单向晶闸管单向晶闸管是由P-N-P-N4层3个PN结组成的，被广泛应用于可控整流、交流调压、逆变器和开关电源等电路中。单向晶闸管的...[全文]
- 再次测量场效应管的电阻值2012/9/3 19:27:28 2012/9/3 19:27:28
- 将两支表笔分别OCA82C250N接在漏极D和源极S的引脚上，测量其电阻值。如图10-13所示测量的电阻值为“6k”。再调换表笔测量其电阻值。如图10-14所示测量的电阻值为“400k”。...[全文]
- PN结2012/8/31 20:39:32 2012/8/31 20:39:32
- 1．PN结的定义经过特殊工艺加工，把一块P型半导体和N25Q128A13BSF40F一块N型半导体紧密地结合在一起，则在它们的接触面上会形成一个特殊的“电场”，称为"PN结”。在PN结两侧，P型半...[全文]
- 电流的测量2012/8/26 14:25:19 2012/8/26 14:25:19
- 电流的测量同样也分为直流CA3130E电流的测量和交流电流的测量。直流电流的测量步骤如下：先将黑表笔插入万用表的“COM”孔。若测量大于200mA的电流，则要将红表笔插入“10A”插孔并将旋钮打...[全文]
- 导线的连接与交叉规则2012/8/25 20:14:19 2012/8/25 20:14:19
- 在电路图中，元器件间的CD4048BE连接导线用实线表示。导线在电路图中，有的会交叉，有的会相连。在电路图中相连的导线中间有个小黑点，而交叉的导线没有小黑点，如图1-15所示为连接的导线和交叉的...[全文]
- 功率MOS开关电源的设计2012/8/23 19:52:11 2012/8/23 19:52:11
- 目前直流电源电路使用ADC0809CCN的方式有两种，即串级型和开关型电路。开关型电源（开关，调整器）是将晶体管开关电路或者FET开关电路与电感器或电容器组合构成的电源电路，与串级型相比其优点是效率...[全文]
- 视频放大器的设计2012/8/20 19:30:50 2012/8/20 19:30:50
- 在制作视频放大器这样的TLC27L4CN高频电路时，必须考虑输入输出阻抗的匹配。如果像图7.6那样如果输出设备和输入设备的阻抗与传输线（同轴电缆）的阻抗不匹配，那么将会产生驻波，使传输功率的一部分返...[全文]
- 放大倍数与频率特性2012/8/19 16:14:56 2012/8/19 16:14:56
- 图6.3是低频范围(lHz～lkHz)电压ULN2003AN增益的频率特性。设计的电路的电压增益A。在lkHz处的值约为2.7倍(约8.5dB)，比设定值AV=3dB约低10%。这是由于VG。通常...[全文]
- 栅极接地电路的设计2012/8/19 16:00:44 2012/8/19 16:00:44
- 图6.1电路的设计指VIPER22A标如下表所示。为了便于对电路本身的性能进行比较，这些指标与第3章源极接地放大电路的设计指标相同。电源电压与FET的选择与源极接地电路相同，电源电压取...[全文]
- 输出阻抗低的原因2012/8/17 19:48:55 2012/8/17 19:48:55
- 如图4.2所示，源极跟随SN74LS365N器接续的负载电阻R。从交流角度看是与源极电阻R。并联的。因此，所谓改变负载电阻R。值与改变源极交流电阻值是相同的。（如果认为电容器C2的交流阻抗为...[全文]
- 进行必要的验算2012/8/16 19:25:06 2012/8/16 19:25:06
- 按照式(3.1)用上面的LM239N电阻值计算其栅极电压VG，得到这个值很接近前面所计算得到的Vc=1.75V；当然，R1和R2也应该采用接近的E24数列中的电阻值。由于未必是理想的值（也有...[全文]
- 栅极偏压电路的设计2012/8/16 19:20:56 2012/8/16 19:20:56
- 按照式(3.3)，V的设定值是在LM2574N-5.0源极电位Vs上加上栅极一源极间电压VGS的值。图3.6是2SK184GR档的传输特性。GR档器件的IDSS分散在2.6～6.5mA的范围。那...[全文]
- 输出是源极电流的变化部分2012/8/15 19:50:28 2012/8/15 19:50:28
- 照片2.6是源极电位u。与漏极LF442CN电位Vd的波形。这样看到的栅极电位vg、源极电位刁。与输入信号Vi的波形是相同的。像照片2.6那样，FET的漏极上看到的是被放大了的vi的波形，但是，可。...[全文]
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