- 轮廓修正(多步沉积刻蚀)的HDP-CⅤD工艺2017/10/21 12:26:19 2017/10/21 12:26:19
- 图4,18是一个典型的多步沉积亥刂蚀HDPCVD的工艺。与一般的HDP相似,主要通K4B2G1646C-HCH9过SlH4和02反应来形成SiO2薄膜。但是沉积过程的要求与传统的HDP不同,传统...[全文]
- 高K栅极介质2017/10/18 20:52:04 2017/10/18 20:52:04
- 介绍⒛07年1月27日,Intel公司宣布在45nm技术节点采用高乃介质和金属栅极并进人量产,NCP1377DER2G这是自20世纪60年代末引人多晶硅栅极后晶体管技术的最大变化。...[全文]
- 氮氧化硅栅极氧化介电层的表征2017/10/18 20:47:36 2017/10/18 20:47:36
- 跟超薄⒏O2一样,当Si()N氧化介电层越来越薄时,氮氧化硅膜厚、组成成分、NCN8664ST50T3G界面态等对器件电学性能的影响越来越重要,同时这些薄膜特性的表征也越来越困难,往往需要几种技...[全文]
- 化学气相沉积法使用的氧源2017/10/18 20:39:24 2017/10/18 20:39:24
- 在热氧化工艺中,主要使N2T6716用的氧源是气体氧气、水等,而硅源则是单晶硅衬底或多晶硅、非晶硅等。氧气会消耗硅(Si),多晶硅(Poly)产生氧化,通常二氧化硅的厚度会消耗0.54倍的硅,而...[全文]
- CMOs图像传感器2017/10/17 21:39:49 2017/10/17 21:39:49
- CIS英文全名CMOS(Comp1ementaryMetal-O妊deSemiconductor)ImageSensor,中TA7668BP文意思是互补性金属氧化物半导体图像传感器。CMOS图像...[全文]
- DRAM和eDRAM2017/10/17 21:20:35 2017/10/17 21:20:35
- DRAM是精密计算系统中的一个关键存储器,并且在尺寸缩小和高级芯片设计的推动下向高速度、T-7115A-MC-DT高密度和低功耗的方向发展。尽管DRAM的数据传输速度已达到极限并且远远低于当前最...[全文]
- 元器件的正确布局都至关重要2017/10/16 20:45:28 2017/10/16 20:45:28
- 在任何PCB设计中,元器件的正确布局都至关重要。大多数的电子电器系统与设备中多会包含多个功能子模块电路,不同的功能子模块可能具有不同的频谱带宽,R5F21258SNFP从而会产生不同的射频能量,...[全文]
- 等离子体技术是多个单项工艺中都经常使用的技术2017/10/15 17:46:28 2017/10/15 17:46:28
- 在微电子工艺中,等离子体技术是多个单项工艺中都经常使用的技术,如等离子增强化学气相淀积、PIC12F615溅射、干法刻蚀等,在介绍等离子增强化学气相淀积工艺之前,首先介绍等离子的产生方法及状态特...[全文]
- 高七金属栅2017/10/14 10:39:12 2017/10/14 10:39:12
- 正如3.4,l节所述,进一步降低EσI′需要采用高虑栅介电材料。新的栅极电介质和原来的栅极的多晶硅并不兼容。R1EX24064ASAS0I高乃栅介电材料中的金属铪能够与多晶硅栅电极中的硅发生反应...[全文]
- 源漏工程2017/10/14 10:29:03 2017/10/14 10:29:03
- 源漏扩展结构(Source/Dr缸nExtension,SDE)在控制MOS器件的短沟道效应中起到重要作用。SDE(源漏扩展结构)引入了一个浅的源漏扩展区,R1EX24032ATAS0I以连接沟...[全文]
- 二氧化硅的乃值在⒋2左右2017/10/12 22:12:51 2017/10/12 22:12:51
- 二氧化硅的乃值在⒋2左右,通常通过掺杂其他元素以降低乃值,比如0.18um工艺采用掺氟的二氧化硅,氟是具有强负电性的元素,当其掺杂到二氧化硅中后,PT4119可以降低材料中的电子与...[全文]
- 集成电路制造工艺发展趋势 2017/10/12 21:55:23 2017/10/12 21:55:23
- ⒛世纪中叶以来,以电子计算机为代表的电子技术产品的不断革新使得社会的发展日新月异,PIC16F1783-I/SS社会的每个方面都产生了深刻的变化。集成电路产业作为技术革命的中心,是整个社会电子产...[全文]
- 圆柱体全包围栅量子阱HEMT场效应晶体管器件剖面结构2017/10/12 21:46:02 2017/10/12 21:46:02
- (其中在栅电极和势垒层之间插人了一高虑栅极介质层Tsi()x)从某种意义上讲,目前htel公司所谓的量子阱场效应晶体管(QWFET)也是一种无结场效应晶体管。鉴于高迁移率CMOS技...[全文]
- 无结场效应晶体管 2017/10/12 20:49:11 2017/10/12 20:49:11
- 当代所有的集成电路芯片都是由PN结或肖特基势垒结所构成:双极结型晶体管(BJT)包含两个背靠背的PN结,MOS「ET也是如此。结型场效应晶体管(JFET)垂直于沟道方向有一个PN结,PAM230...[全文]
- 凡连接到测量接收机的屏蔽连接线布置2017/10/10 20:54:57 2017/10/10 20:54:57
- 凡输人阻抗大于15O0Ω的电压探头,其软性接地线长度不应超过最大测量频率对应波长的十分之一,REF3030AIDBZT并应该以可能的最短路径接到作为参考地的金属表面上。为了避免由探头的屏蔽层引入...[全文]
- EUT的搭接2017/10/10 20:48:50 2017/10/10 20:48:50
- (1)EUT的搭接:搭接情况应与实际安装情况或设计要求一致。(2)EUT的朝向:REF3020AIDBZT依据国EUT的搭接军标进行辐射发射测试时天线和EUT均为固定位置和高度,因...[全文]
- 与专用端口相连的装置,如鼠标或游戏棒2017/10/10 20:46:52 2017/10/10 20:46:52
- 两种不同类型(如并行、串行等)的现有I/0协议用的每一种外围设备。REF1004I-1.2与专用端口相连的装置,如鼠标或游戏棒。从上述可以看出,对于个人计算机而言,要...[全文]
- 放电从人体的指尖传到器件上的导电引脚2017/10/9 21:53:36 2017/10/9 21:53:36
- 依照由人体模型标准所作的模型,静电放电损坏来源于带电的人体。这个测N79E715AS16试模型表示,放电从人体的指尖传到器件上的导电引脚。该模型通过一个开关组件,将充了电的100pF电容器,在待...[全文]
- 由于上述物理模型属于二维构造体2017/10/9 21:40:22 2017/10/9 21:40:22
- 由于上述物理模型属于二维构造体,对于等效热路法而言太过复杂且不易计算出结果,N25Q128A13BSF40F因此需要在保持实际问题基本特点的前提下,对物理问题进行适当的简化处理,以便应用线性数学...[全文]
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