- 三相桥式整流器的仿真2019/7/19 21:17:21 2019/7/19 21:17:21
- 三相桥式整流器的仿真H57V1262GFR-60C打开仿真参数窗口(见图⒈60),选择ode23tb算法,将相对误差设置为1⒍5,仿真开始时间设置为0,仿真停止时间设置为1,并进行...[全文]
- 锯齿波的中点与同步信号的300°位置对应2019/7/19 20:50:21 2019/7/19 20:50:21
- 对于晶闸管VTl,其阳极与交流侧电压相接.可简单表示为VT∶所接主电路电压为+〃u,VTl的触发脉冲从0°~180°对应的范围为ωr1~ωr2。采用锯齿波同步的触发电路,同步信号负...[全文]
- 门极驱动电路的形式2019/7/16 21:30:21 2019/7/16 21:30:21
- 门极驱动电路的形式控制电路应该和主电路隔离,隔离可采用脉冲变压器或光电耦合器。NT5TU16M16AG-3C基于脉冲变压器Tr和晶体管放大器的驱动电路如图⒈34所示,在控制系统发出...[全文]
- 器件的电阻值是变化的2019/7/15 21:09:04 2019/7/15 21:09:04
- 在可调电阻区I内,器件的电阻值是变化的。当栅源电压LrGs~定时,器件内的沟道已经形成;当漏源电压叽、很小时,对沟道的影响可忽略。L78M05CV此时沟道的宽度和电子的迁移率几乎不变,所以ⅠD与...[全文]
- 晶体管N1P2N2发射极电流增加2019/7/14 18:57:00 2019/7/14 18:57:00
- 在晶间管承受正向阳极电压、门极未承受电压的情况下,ⅠG=0,晶闸管处于正向阻断状态。LDS3985M25R若门极承受正向电压且门极流人电流rG足够大,晶体管N1P2N2发射极电流增加,臼增大,使...[全文]
- 要通过屏蔽来降低该电源产品的辐射发射2019/7/13 17:35:46 2019/7/13 17:35:46
- 要通过屏蔽来降低该电源产品的辐射发射,可以采用下述两种方法。F16859AK方法一:用金属屏蔽壳和屏蔽电缆将PCB和所有输人/输出电缆屏蔽起来,同时屏蔽电缆屏蔽层,和PCB的屏蔽外...[全文]
- 可以有效地抑制开关电源中共模噪声向后一级电路传输2019/7/13 16:59:30 2019/7/13 16:59:30
- 开关电源变压器初级的共模噪声向次级噪声传递是开关电源产品EMI问题的一个主要原因,为截断这种传递的路径,需要在绕制变压器时,在初级与次级之间加上屏蔽层,并接至直流地上或直流的高压端。小成本将带来...[全文]
- 传导骚扰测试在屏蔽室中进行2019/7/11 21:36:56 2019/7/11 21:36:56
- 根据电磁理论,环路既可以成为辐射必要条件中的天线,也可以成为接收干扰的环路接收天线:当环路中的磁通发生变化时,将在环路中感应出电流,其大小与闭环面积成正比,而且对于特定大小的环路,环路接收天线将...[全文]
- PCB工作地与产品金属壳体连接后的产品2019/7/11 21:26:38 2019/7/11 21:26:38
- 某金属外壳的产品,产品构架示意。其中,PCB只有一个工作地,PCB的工作地与产品金属壳体无任何连接。该产品按CISPR22标准进行辐射发射测量时,测试结果。由测试图可以看到,JAN...[全文]
- 用变换磁场和电流方向的方法,消除霍尔测量中的副效应2019/7/10 21:40:28 2019/7/10 21:40:28
- 按范德堡法测量霍尔电压,即在垂直样品方向上施加磁场,在四个电极中相对电极分别通以电流和测试电压,用变换磁场和电流方向的方法,消除霍尔测量中的副效应,可得到8个测试电压值。同理,对于六触点试样,在...[全文]
- 用变换磁场和电流方向的方法,消除霍尔测量中的副效应2019/7/10 21:40:27 2019/7/10 21:40:27
- 按范德堡法测量霍尔电压,即在垂直样品方向上施加磁场,在四个电极中相对电极分别通以电流和测试电压,用变换磁场和电流方向的方法,消除霍尔测量中的副效应,可得到8个测试电压值。同理,对于六触点试样,在...[全文]
- 电学参数测试2019/7/10 21:25:45 2019/7/10 21:25:45
- 电学参数测试单晶碳化硅材料的电学参数包含材料的电阻率、霍尔迁移率、载流子浓度和导电类型。H5PS2G83AFR-S6C这些电学参数可通过范德堡法来测量,关于范德堡法测半导体材料电阻...[全文]
- 兆欧表一般由手摇直流发电机和磁电式流比计组成2019/7/9 20:32:40 2019/7/9 20:32:40
- 第一种是兆欧表法。K4B2G0446D-HYH9兆欧表一般由手摇直流发电机和磁电式流比计组成,测量时将手摇直流发电机的直流电压加在被测物上,测得的泄漏电流经流比计换算后将绝缘电阻值显示在表盘上,...[全文]
- 石英晶体谐振器2019/7/8 21:30:15 2019/7/8 21:30:15
- 石英晶体谐振器(1)绝缘电阻H5TQ1G83BFR-H9C-C为保护绝缘表,绝缘电阻测试前应将谐振器完全放电,不允许被测试样品带电进行测试。若被测谐振器为非金属外壳或...[全文]
- 吸合和释放电压或自保持/复归电压2019/7/6 20:32:50 2019/7/6 20:32:50
- 吸合和释放电压或自保持/复归电压继电器的吸合和释放电压或自保持/复归电压的测试方法有两种,一种是脉冲法,一种是直流法。FAN2502S25X这两种测试方法的绕组加电波形如图1199...[全文]
- 电线电缆2019/7/5 20:58:32 2019/7/5 20:58:32
- 电线电缆导体单丝直径、导体外径、屏蔽单丝直径测试可参照GB/T4909.2⒛⒆《裸电线试验方法》,测量工具有千分尺、游标卡尺、投影仪或放大镜等。H5DU2562GTR-FAC对于...[全文]
- 光电耦合器的集电极一发射极的饱和电压2019/7/3 21:12:43 2019/7/3 21:12:43
- 光电耦合器的集电极一发射极的饱和电压(脉冲法)1.测试电路图(见图10-26)HA17555图中,G3为电流源;G1为电压源;Sl,岛,s...[全文]
- 光电耦合器的输入-输出隔离电阻2019/7/3 21:03:37 2019/7/3 21:03:37
- 光电耦合器的输入-输出隔离电阻1.测试电路图(见图1Oˉ23)HA17339A图中,P为被测光电耦合器;A为电流表;V为电压...[全文]
- 光电二极管在光辐射下的反向电流和光电晶体管光辐射下的集电极电流2019/7/2 21:30:15 2019/7/2 21:30:15
- 光电二极管在光辐射下的反向电流和光电晶体管光辐射下的集电极电流1,测试电路图(见图10-18)图中,Ls为光源;M为单色仪;H5PS1G63EFR-S5...[全文]
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