光电二极管在光辐射下的反向电流和光电晶体管光辐射下的集电极电流

   1,测试电路图(见图10-18)

   图中,Ls为光源;

   M为单色仪;H5PS1G63EFR-S5C

   图10-18 光电管电流测试电路图

   F为滤光片;

   D或T为被测光电二极管或光电晶体管;

   V为电压表;

   A为电流表;

   G为偏置电源。

   2.测量程序

   应采用下列4种状态之一:

   状态1:被测光敏器件围绕其机械轴旋转,以便确定最大值的精确位置;

   状态⒉被测光敏器件的光轴用光学基座对准;

   状态3:依据被测光敏器件封装结构的类型所规定的基准进行定位,以便获得重复机械定位;状态4:带尾纤器件。

   (1)在规定的温度条件下。

   (2)将管座放置在相对光源一定距离的地方,该光源应具有规定的照度(辐照度)。

   (3)将被测光敏器件插入该管座中,并施加规定的偏置。

   (4)仅对状态1的情况,被测光敏器件绕机械轴旋转,在辐射的条件下读出电流表上最小和最大的电流值。对于状态2、3或4的情况,在电流表上读出光辐射的电流值。

   3.注意事项

   (1)应避免由于光的辐射引起被测器件过热,当超过20Ow/m2时,建议安装隔热板作为快门,以便限制曝光的持续时间。

   (2)应保证光学面的清洁度。

   (3)测量之前应使光源稳定。

   (4)当标准光源作光源时,应将抑制寄生辐射的光栏置于被测器件的前面。

   (5)带尾纤器件应照射器件光学窗口。