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- 常规的CMOS晶体管,从源区至沟道和漏区由两个背靠背的PN结组成,沟道的掺杂类型与其漏极与源极相反。当足够大的电位差施于栅极与源极之间时,电场会在栅氧化层下方的半导体表面感应少子电荷,形成反型沟...[全文]
- 高电子迁移率晶体管2019/1/28 21:53:14 2019/1/28 21:53:14
- Easki和Tsu提出在禁带宽度不同的异质结结构中,离化的施主和自由电子是分离的。即,电子离开施主母体,M24C04-WDW6TP由宽带隙材料一侧进人窄带隙材料一侧。这种分离减少了...[全文]
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- KA3842B/KA3843B/KA3844B/KA3845B开关电源控制器是高性能固定频率电流模式PWM控制器。最优化的离线DC-DC变换器。...[全文]
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- 描述ISO1050是一款电镀隔离的CAN转发器，此转发器符合或者优于ISO11898-2标准的技术规范。此器件有几个由氧化硅(SiO2)绝缘隔栅分开的逻辑输入和输出缓冲器，此绝缘隔...[全文]
- 主机和扩展模块上都带有I/0电缆,I/0电缆都属于非屏蔽电缆2019/1/3 21:22:56 2019/1/3 21:22:56
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- 并联1000pF电容作用原理2019/1/3 21:12:19 2019/1/3 21:12:19
- 查阅电容的频率-阻抗特性,得知约1000pF的贴片电容,在保证最短的引线电感时(引线电感较长,会使该电容失效),由于1000pF的电容的自谐振频率约150MHz,NG80386SX20因此可以很...[全文]
- 芯片的地与电源之间也会随信号的摆动2019/1/3 20:59:38 2019/1/3 20:59:38
- USB接口能提供双向、NG80386SX/SXL-25实时的数据传输,具有即插即用、可热插拔和价格低廉等优点,目前已成为计算机和数码相机等信息电子产品连接外围设备的首选接口。时下流行的UsB2....[全文]
- 静电电流引起的辐射2019/1/2 21:34:03 2019/1/2 21:34:03
- 作为良好的抗静电放电干扰设计,有必要做一些补充说明。在图3,41所示的电路中,K7N403609B-PC20当静电放电点在设备的金属外壳上时,由于金属外壳本身存在不良搭接及孔缝,当静电放电电流流...[全文]
- EESX671 光传感器2019/1/2 10:49:43 2019/1/2 10:49:43
- 切换受光输出还是遮光输出用的。EESX671不接的话默认就是受光输出，接+也是受光输出，接-是遮光输出切换受光输出还是遮光输出用的。光电开关有四个窗口，负极，outL正极，out为输出L表示...[全文]
- CD4060 振荡器和14级二进制2019/1/2 10:18:08 2019/1/2 10:18:08
- cd4060简介CD4060是由一振荡器和14级二进制串行计数器位组成，振荡器的结构可以是RC或晶振电路，CR为高电平时，计数器清零且振荡器使用无效。所有的计数器位均为主从触发器。在CP...[全文]
- 模块上的连接器与背板上相对应的连接器进行连接2018/12/30 17:56:47 2018/12/30 17:56:47
- 某设各,采用模块和背板结构,每个模块都有连接器,当模块插入到背板上时,HCF40106BE模块上的连接器与背板上相对应的连接器进行连接,这也是模块与背板仅有的连接之处,每个模块进行一定的屏蔽设计...[全文]
- Q601E3 周详细描述2018/12/26 14:42:49 2018/12/26 14:42:49
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- 纵观历史,从美国柯达公司的邓青云等提出OLED器件的多层结构开始,经过了近30年的时间。目前有机发光显示领域的研究呈现出研究、开发与产业化齐头并进的局面。在研究方面,各种功能材料、...[全文]
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