- 任何屏蔽都不可能做到对电磁场完全封闭2019/2/6 20:19:38 2019/2/6 20:19:38
- 实际上,任何屏蔽都不可能做到对电磁场完全封闭,屏蔽体上总会有缝隙、通风口、L4931ABD35-TR门窗结构和电缆线进人,这些结构均会降低屏蔽效能。对于孔缝结构,在低频段可以用一阶近似处理,也就...[全文]
- 一个电路的地电位会受另一个电路工作电流的调制2019/2/6 20:01:47 2019/2/6 20:01:47
- 当两个模拟电路共用一段地线时,由于地线的阻抗,一个电路的地电位会受另一个电路工作电流的调制。KDZTR33B这样,一个电路中的信号会耦合进另一个电路,这种耦合称为公共阻抗耦合。在数...[全文]
- 中数字电路采用多点接地方式2019/2/6 19:53:54 2019/2/6 19:53:54
- 这种接地方式中电路和机壳在许多点就近搭接(接地线长度L<0.1),使驻波最小,KDZTR12B通常用于具有相同噪声特性的高频模拟电路及数字电路。这种系统可能产生许多接地环路,因此,不应用于...[全文]
- 地线的阻抗引起的地线上各点之间的电位差能够造成电路的误动作2019/2/5 19:17:54 2019/2/5 19:17:54
- 地线的阻抗引起的地线上各点之间的电位差能够造成电路的误动作,许多人觉得不可思议:JQ1-12V-F我们用欧姆表测量地线的电阻时,地线的电阻往往在毫欧姆级,电流流过这么小的电阻时怎么会产生这么大的电压降...[全文]
- 电阻R与走线的特性阻抗zO相匹配2019/2/5 16:55:17 2019/2/5 16:55:17
- 电阻R与走线的特性阻抗zO相匹配,即R=zO,电容C通常取值很小,为⒛~600pF。MC56F8122VFAE因为电容保持信号的直流电压,源驱动器不给终端提供直流驱动电流。由于电容允许RF射频能...[全文]
- 采用自动布线器是完成星形布线的最好方法2019/2/5 16:47:44 2019/2/5 16:47:44
- 如果设计中信号有高速跳变的边沿,就必须考虑到在PCB上存在传输线效应的问题。MC56F8023VLC现在普遍使用的具有很高时钟频率的快速℃更是存在这样的问题。解决这个问题有一些基本原则:如果采用...[全文]
- 串联电阻的位置应该紧靠驱动端2019/2/5 16:45:38 2019/2/5 16:45:38
- 对于菊花链布线,布线从驱动端开始,依次到达各接收端。如果使用串联电阻来改变信号特性,串联电阻的位置应该紧靠驱动端。在控制走线的高次谐波MC56F8014VFAE干扰方面,菊花链走线效果最好。但这...[全文]
- 大面积完整覆铜具有加大电流和屏蔽双重作用2019/2/4 20:07:51 2019/2/4 20:07:51
- 地的铜填充简称覆铜,又称灌铜,就是将PCB上闲置的空间作为基准面,然后用固体铜填充。A5191HRTPG-XTD覆铜的意义在于:减小地线阻抗,提高抗干扰能力;降低压降,提高电源效率;与地线相连,...[全文]
- 大拇指指向导线中电流传输方向2019/2/4 19:22:50 2019/2/4 19:22:50
- 为了消除PCB内的射频能量,要先讨论磁通量消除或磁通量最小化的概念。A278308L-12因为磁通在电流传输线中,根据右手定理(右手握拳,大拇指伸直,大拇指指向导线中电流传输方向,则其余四指所指...[全文]
- 基本频带器件起低通作用2019/2/2 22:48:43 2019/2/2 22:48:43
- 当无源器件在高频下使用时(如将高达1GHz的干扰电流耦合至地平面),了解所有的寄生参数是十分有用的,通过简单的累加可以推断其影响的大小。OXFW911ATAPI-TQ-A合格器件的生产厂商会向用...[全文]
- 电磁兼容基础标准、较低频率范围和电磁脉冲的电磁兼容标准2019/2/1 20:10:08 2019/2/1 20:10:08
- 国际上一些技术研究组织和管理协调机构,如国际电信联盟、国际大电网工作会议、GD75232PWE4国际电工委员会(IEC)及无线电干扰特别委员会(CISPR)等,从事电磁兼容的协调、管理和技术标准...[全文]
- 测量仪器的检定,是指查明和确认测量仪器是否符合法定要求的程序2019/1/31 13:12:13 2019/1/31 13:12:13
- 通过一条具有规定不确定度的不间断的比较链,使测量结果或测量标准的值能够与规定的参考标准(通常是国家计量基准或国际计量基准)联系起来的特性,D2864A称为量值溯源性。实现量值溯源的最主要...[全文]
- 封装类型:TsOPII妊环氧树脂封装2019/1/31 12:54:10 2019/1/31 12:54:10
- 1)基本情况:sMIC0,18um制程TQV(testqualificationvehiclc),它以sRAM为载体,用于检测产品的质童和可靠性参数。(2)封装类型:TsOPII妊...[全文]
- 化学放大的光刻胶使用完全不同于DNQ的反应原理2019/1/30 16:48:16 2019/1/30 16:48:16
- 进入了深紫外时代,如248nm、193nm,由于DNQ胶对此光波段的强烈吸收,使得人射光无法穿透光刻胶,这将严重影响分辨率。由于需要更加高的分辨率和灵敏度,JA3205-05-A0...[全文]
- Ilias传感器的探测器平面选在光瞳平面的共轭面上v2019/1/30 16:46:05 2019/1/30 16:46:05
- 像差的测量可以通过很多方法,比如阿斯麦公司的硅片平台上的白带干涉仪(Ilias传感器),J4701B3111其原理就是通过在掩膜版对应曝光狭缝不同位置的地方设计小孔,这些小孔发出的球面波会在镜头...[全文]
- 具有嵌入式锗化硅的PMOS器件2019/1/29 17:23:21 2019/1/29 17:23:21
- 从上面几节中,我们可以看到应力效应不仅可以用来提高NMOS器件性能,而且也KDZTR8.2B可以用来提高PMOS器件性能。除此之外,还有许多报道使用应力效应提升技术来更进一步地提高...[全文]
- 作为半导体器件和后段互连线之间的金属前通孔2019/1/29 17:18:35 2019/1/29 17:18:35
- 由于NH3比N2更易于解离,所以式(53)的反应中,大部分N离子来源于NH3,N2主要起稀释和平衡气压的作用,但也会参与反应。式(54)的反应则不采用NH3,KDZTR33B直接用N2提供N离子...[全文]
- 酸槽预处理采用HF和RCA清洗的方法2019/1/29 17:09:04 2019/1/29 17:09:04
- 选择性锗硅外延工艺(SelectiveEpitaxyGrowth,SiGeSEG)一般包含酸槽预处理、原KDZTR13B位氢气烘焙(illsituH2bake)、选择性锗硅外延三个步骤。酸槽预处...[全文]
- 集成电路工业中广泛使用的驱动电流与应力和沟道方向的相关性2019/1/29 17:07:10 2019/1/29 17:07:10
- 集成电路工业中广泛使用的驱动电流与应力和沟道方向的相关性及其提升CMOS器件性能的方法。KDZTR12B在本章中,我们将讲解一些主要的应变I程技术。5.2节中将讨论源漏区嵌入技术,源漏区嵌人式锗...[全文]
- 刻蚀速率随着溅射离子对于问隙表面人射角的不同而改变2019/1/29 14:40:18 2019/1/29 14:40:18
- 沉积刻蚀比=总沉积速率/刻蚀速率=(净沉积速率+刻蚀速率)/刻蚀速率实现对间隙的无孔填充的理想条件是在整个沉积过程中始终保持间隙的顶部开放,JM38510/20302BCA以使反应物能进人间隙从...[全文]
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