1)基本情况:sMIC0,18um制程TQV(test qualification vehiclc),它以sRAM为载体,用于检测产品的质童和可靠性参数。

   (2)封装类型:TsOPII妊环氧树脂封装D27C256AD-12

   (3)发生失效场合:为验证新封装测试厂产品质量.经历环境测试/HA⒏Γ120小时。(1)失效模式:白动测试(ΛTE)连续性/开路。

   (5)失效机理:环氧树脂器件表面之问严重分层(爆米花效应),导致Pin Λ8焊接点和铝焊盘脱离。

  (6)失效原因:该封装厂产品密封性差.塑封材料内的水分在高温下受热发生嘭胀,使塑封料与金属柜架和分层讨讧断键合丝或和铝焊盘脱离.发生开路失效:

   (7)所采用的分析方法:C分析:Hr\s'「(highl卜:accclerated tcn1pera1urc humiditys1ress test).加速寿命实验.主要检验环氧树脂封装器件的耐腐蚀能力・如致密性c失效模式:连续性∷.开路。同封装制程质量强相关。因此.用检测封装器件的非破坏性分析手段,

sAM和X Ray进行分析。②外观检查:正常。③SAM:环氧树脂与器件表面之间严重分层。①开封/内部检查及SEM:扫描电镜观察分层导致Pin A8金球/焊接点和铝焊盘脱离。

   (l)基本情况:SMI(′o。13um数模混合制程,静电放电(elect∞static discha喟e EsD)的防护能力不稳定。人体放电模式(hun1an body m。del HBM)在⒛00V失效(规范:>2O0oV)。该产品所用的I()和IP.均由客户自行设计:

   (2)封装类型:

   (3)失效模式:I∷O tcl I()的静电放电测试后.Pin89相对肛V漂移大于规范。(4)失效机理:Pin9o EsI)保护电路附近,因静电放电效应导致的I'VM()s漏极到栅极击穿。

   (5)失效原因:失效I'VM()s线路是该芯片ESD设计薄弱处,测试时有大电压或大电流通过.引起本征击穿。

   (6)失效分析手法:①非破坏性分析:测试结果/失效验证,好坏样品rV曲线对比②半破坏性分析:自动开封,镜检正常;电性验证:开封后电性能复测,再次证实器件失效;正面失效定位,采用PEM和OBIRCH技术;背面失效定位,分别对好坏样品进行PEM和OBIRCH定位,ESD失效样品在客户IP内部发现有效亮点;物理分析,采用RIE去除钝化

层,手动研磨/抛光去铜互联层剥层,针对亮点及附近进行有选择性剥层和SEM观察,亮点及附近所用层次形貌正常,没有发现ESD相关的失效现象;同Pin89或邻近ESD保护电路及IP内部亮点到Pin89IO线路排查、SEM观察,在Pin9o EsD保护电路附近,发现囚静电放电效应导致的I'VM(B漏极到栅极击穿。