RC泄放电阻R4和C3位于桥式整流管的前面，帮助可控硅正常工作。电容C3和R4可放置在Ll和L2前面，以进…步增强调光兼容性， M30620MCN-A00FP同时还可降低可能因磁致伸缩所产生的音频噪声。电阻Rl和R2可在必要时衰减EMI滤波器的谐振。如果辐射EMI频谱在系统级应用中存在显著的裕量，可去除Rl和R2。

   电容Cl、C4和差模扼流圈L3形成位于桥式整流管后面的EMI滤波器。滤波电容受到限制，可维持较高的功率因数。该输入兀形滤波器网络与LYTSwitch的频率调制特性相结合，可使设计满足Class B干扰限值。电阻R3可在必要时衰减EMI滤波器的谐振，从而防止当在系统（驱动器加外壳）中测量时EMI频谱中出现峰值。优化选择的电容Cl值为33nF，可避免在输入浪涌期间对BR1造成电压应力。

   本设计采用PI公司专有的有源衰减电路来实现高效率、良好的调光器兼容性、输入电涌保护以及热管理。对RC截止频率滤波器C15和R44进行微调，使其作出响应的频率达到140Hz以上，以便在调光工作期间对Q12进行偏置。只要有调光器存在，晶体管Q12就会在每个半线周期对C14进行放电。

   晶体管Ql0在非调光工作条件下正常导通，以便维持高效率，Ql0的栅极通过R43、VR4和R47的分压器被偏置，并及时被C14和C16滤波。C14中在非调光工作条件下不会被放电，因此对Ql0的栅极维持连续偏置。