转移特性曲线。如图3- 36 (b)所示，它表示在UDs-定时，ID与U（诗的关系。由P4KE160于转移特性曲线与漏极特性曲线所反映的是场效应管工作的同一物理过程，只是从不同的角度把它反映出来，因此，这两种特性曲线并不是相互无关的。只要在图3 - 36 (a)所示的漏极特性曲线上漏源电压等于UDS值处作垂直分割线，此垂直线与各输出特性曲线的交点，就表明了在漏源电压固定为UDS条件下，不同栅源电压UGS应有的输出电流ID值，把各点连成曲线就得到转移特性(ID -UGS)曲线。

   图3 - 36 (c)表示不同环境温度时的转移特性曲线，各线交点Q叫做最佳偏压点，因为在该点处不受温度影响，温度系数为零。

   绝缘栅场效应管特性曲线。为了获得更高的输入电阻和便于制作集成电路，又出现了将栅极绝缘的另一种场效应管——绝缘栅场效应管，绝缘栅场效应管的内部结构与结型场效应管结构主要不同处在于它的栅极是从二氧化硅上引出，栅极与源、漏极是绝缘的，绝缘栅场效应管也因此得名。

   绝缘栅(MOS)场效应管有耗尽型和增强型之分。当UGs =0时，源漏之间就存在导电沟道的，称为耗尽型场效应管；如果必须在I UGSl>O酌情况下才存在导电沟道的，则称为增强型场效应管。因此，绝缘栅场效应管有N沟道耗尽型、N沟道增强型、P沟道耗尽型、P沟道增强型四种不同的类型。

   图3 - 37 (a)所示是四种MOS场效应管的输出特性曲线，图3- 37 (b)所示是四种MOS场效应管的转移特性曲线。