放大用较小的输入信号为原型
发布时间:2013/11/4 20:28:51 访问次数:696
放大用较小的输入信号为原型，U4439BG产生一个较大的电压、电流或功率的过程。
基区 双极结型晶体管中的一个半导体区。
双极型用两个pn结来表征。
双极结型晶体管( HJT) 由被两个pn结分开的三个掺杂半导体区构成的晶体管。
A类放大器一种放大器电路，输入信号的整个周期都导通，从波形看，所产生的输出信号为输入信号的拷贝。
B类放大器 在输入信号的半个周期内导通的放大器电路。
集电区 双极结型晶体管中的一个半导体区。
共集电极(CC，Common-Collector) BJT故大器的一种结构，其中集电极是公共（接地）端。
共漏(CD，Common-Drain) FET放大器的一种结构，其中漏极是公共（接地）端。
共发射极(CE，Common-Emitter) BJT放大器的一种结构，其中发射极是公共（接地）端。
共源极(CS，Common Source) FET放大器的一种结构，其中源极是公共端。
电流增益 输出电流与输入电流的比值。
截止 晶体管不导通的状态。
耗尽型 当FET沟道中的多数载流子被耗尽的情况。
漏极FET的三个电极中的一个。
发射区 BJT的三个半导体区中的一个。
增强型 当MOSFET沟道中具有大量多数载流子的情况。
反馈将电路输出信号中的一部分以某种方式反馈到输入端、产生某个指定的工作状态的过程。
栅极FET的乏个电极中的一个。
JFET结型场效应管，FET的一种，它利用反向偏置的pn结去控制沟道中的电流。
MOSFET金属氧化物半导体场效应管。
振荡器一种电路，它仅利用直流电源作为输入在其输出端产生一个重复的波形。
功率增益输出功率与输入功率的比值；电压增益和电流增益的乘积。
静态工作点（Q点） 放大器的直流工作点。
饱和 晶体管的输出电流最大的一个状态，进一步增大输入信号对榆出没有影响。
源极FET的i个电极中的一个。
晶体管一种半导体器件。它利用第三个引脚上的电流和电压控制另外两个引脚之间的电流，用于对电信号的放大或开关。
电压增益 输出电压与输入电压的比值。
基区 双极结型晶体管中的一个半导体区。
双极型用两个pn结来表征。
双极结型晶体管( HJT) 由被两个pn结分开的三个掺杂半导体区构成的晶体管。
A类放大器一种放大器电路，输入信号的整个周期都导通，从波形看，所产生的输出信号为输入信号的拷贝。
B类放大器 在输入信号的半个周期内导通的放大器电路。
集电区 双极结型晶体管中的一个半导体区。
共集电极(CC，Common-Collector) BJT故大器的一种结构，其中集电极是公共（接地）端。
共漏(CD，Common-Drain) FET放大器的一种结构，其中漏极是公共（接地）端。
共发射极(CE，Common-Emitter) BJT放大器的一种结构，其中发射极是公共（接地）端。
共源极(CS，Common Source) FET放大器的一种结构，其中源极是公共端。
电流增益 输出电流与输入电流的比值。
截止 晶体管不导通的状态。
耗尽型 当FET沟道中的多数载流子被耗尽的情况。
漏极FET的三个电极中的一个。
发射区 BJT的三个半导体区中的一个。
增强型 当MOSFET沟道中具有大量多数载流子的情况。
反馈将电路输出信号中的一部分以某种方式反馈到输入端、产生某个指定的工作状态的过程。
栅极FET的乏个电极中的一个。
JFET结型场效应管，FET的一种，它利用反向偏置的pn结去控制沟道中的电流。
MOSFET金属氧化物半导体场效应管。
振荡器一种电路，它仅利用直流电源作为输入在其输出端产生一个重复的波形。
功率增益输出功率与输入功率的比值；电压增益和电流增益的乘积。
静态工作点（Q点） 放大器的直流工作点。
饱和 晶体管的输出电流最大的一个状态，进一步增大输入信号对榆出没有影响。
源极FET的i个电极中的一个。
晶体管一种半导体器件。它利用第三个引脚上的电流和电压控制另外两个引脚之间的电流，用于对电信号的放大或开关。
电压增益 输出电压与输入电压的比值。
放大用较小的输入信号为原型，U4439BG产生一个较大的电压、电流或功率的过程。
基区 双极结型晶体管中的一个半导体区。
双极型用两个pn结来表征。
双极结型晶体管( HJT) 由被两个pn结分开的三个掺杂半导体区构成的晶体管。
A类放大器一种放大器电路，输入信号的整个周期都导通，从波形看，所产生的输出信号为输入信号的拷贝。
B类放大器 在输入信号的半个周期内导通的放大器电路。
集电区 双极结型晶体管中的一个半导体区。
共集电极(CC，Common-Collector) BJT故大器的一种结构，其中集电极是公共（接地）端。
共漏(CD，Common-Drain) FET放大器的一种结构，其中漏极是公共（接地）端。
共发射极(CE，Common-Emitter) BJT放大器的一种结构，其中发射极是公共（接地）端。
共源极(CS，Common Source) FET放大器的一种结构，其中源极是公共端。
电流增益 输出电流与输入电流的比值。
截止 晶体管不导通的状态。
耗尽型 当FET沟道中的多数载流子被耗尽的情况。
漏极FET的三个电极中的一个。
发射区 BJT的三个半导体区中的一个。
增强型 当MOSFET沟道中具有大量多数载流子的情况。
反馈将电路输出信号中的一部分以某种方式反馈到输入端、产生某个指定的工作状态的过程。
栅极FET的乏个电极中的一个。
JFET结型场效应管，FET的一种，它利用反向偏置的pn结去控制沟道中的电流。
MOSFET金属氧化物半导体场效应管。
振荡器一种电路，它仅利用直流电源作为输入在其输出端产生一个重复的波形。
功率增益输出功率与输入功率的比值；电压增益和电流增益的乘积。
静态工作点（Q点） 放大器的直流工作点。
饱和 晶体管的输出电流最大的一个状态，进一步增大输入信号对榆出没有影响。
源极FET的i个电极中的一个。
晶体管一种半导体器件。它利用第三个引脚上的电流和电压控制另外两个引脚之间的电流，用于对电信号的放大或开关。
电压增益 输出电压与输入电压的比值。
基区 双极结型晶体管中的一个半导体区。
双极型用两个pn结来表征。
双极结型晶体管( HJT) 由被两个pn结分开的三个掺杂半导体区构成的晶体管。
A类放大器一种放大器电路，输入信号的整个周期都导通，从波形看，所产生的输出信号为输入信号的拷贝。
B类放大器 在输入信号的半个周期内导通的放大器电路。
集电区 双极结型晶体管中的一个半导体区。
共集电极(CC，Common-Collector) BJT故大器的一种结构，其中集电极是公共（接地）端。
共漏(CD，Common-Drain) FET放大器的一种结构，其中漏极是公共（接地）端。
共发射极(CE，Common-Emitter) BJT放大器的一种结构，其中发射极是公共（接地）端。
共源极(CS，Common Source) FET放大器的一种结构，其中源极是公共端。
电流增益 输出电流与输入电流的比值。
截止 晶体管不导通的状态。
耗尽型 当FET沟道中的多数载流子被耗尽的情况。
漏极FET的三个电极中的一个。
发射区 BJT的三个半导体区中的一个。
增强型 当MOSFET沟道中具有大量多数载流子的情况。
反馈将电路输出信号中的一部分以某种方式反馈到输入端、产生某个指定的工作状态的过程。
栅极FET的乏个电极中的一个。
JFET结型场效应管，FET的一种，它利用反向偏置的pn结去控制沟道中的电流。
MOSFET金属氧化物半导体场效应管。
振荡器一种电路，它仅利用直流电源作为输入在其输出端产生一个重复的波形。
功率增益输出功率与输入功率的比值；电压增益和电流增益的乘积。
静态工作点（Q点） 放大器的直流工作点。
饱和 晶体管的输出电流最大的一个状态，进一步增大输入信号对榆出没有影响。
源极FET的i个电极中的一个。
晶体管一种半导体器件。它利用第三个引脚上的电流和电压控制另外两个引脚之间的电流，用于对电信号的放大或开关。
电压增益 输出电压与输入电压的比值。
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