在已形成的N型或P型半导体基片上，STM8S208RBT6再掺人相反类型的杂质原予，且浓度超过原基片杂质原子的浓度，则原N型或P型半导体就会转变为P型或N型半导体，这种转换杂质半导体类型的方法称为杂质补偿。采用这种方法，将N型（或P型）半导体基片上的一部分转变为P型（或N型），这两部分半导体分别称为P区和N区，它们的交界面将形成一个特殊的带电薄层，称为PN结。PN结是构成半导体二极管、三极管、集成电路等多种半导体器件的基础。
    PN结的形成过程
    为了便于分析，将N区和P区简画成如图1.1.4(a)所示，交界面两侧两种载流子浓度有很大的差异，N区中电子很多而空穴很少，P区则相反，空穴很多而电子很少。这样，电子和空穴都要从浓度高的地方向浓度低的地方扩散。因此，一些电子要从N区向P区扩散；也有一些空穴要从P区向N区扩散。当P区中空穴扩散到N区后，便会与该区自由电子复合，并在交界面附近的P区留下一些带负电的杂质离子。同样，当N区中自由电子扩散到P区后，便会与该区空穴复合，而在交界面附近的N区留下一些带正电的杂质离子。结果是在交界面两侧形成一个带异性电荷的薄层，称为空间电荷区。这个空间电荷区中的正、负离子形成一个空间电场，称它为内电场，如图1.1.4(b)所示。

           
    (a)载流子的扩散运动    (b)交界面处的空间电荷区
    图1.1.4   PN结的形成
    内电场形成后，一方面其电场会阻碍多数载流子的扩散运动，把P区向N区扩散的空穴推回P区，把N区向P区扩散的自由电子推回N区。另一方面，其电场将推动P区少数载流子自由电子向N区漂移，推动N区少数载流子空穴向P区漂移，漂移运动的方向正好与扩散运动的方向相反。
    由上面分析知道，内电场有两个作用：阻碍多数载流子的扩散运动；有利于少数载流子的漂移运动。
    扩散运动和漂移运动是互相联系，又互相矛盾的。在开始形成空间电荷区时，多数载流子的扩散运动占优势，随着扩散运动的进行，空间电荷区逐渐加宽，内电场逐步加强，多数载流子的扩散运动逐渐减弱，少数载流子的漂移运动则逐渐增强；而漂移使空间电荷区变窄，电场减弱，又使扩散容易。而当漂移运动和扩散运动处于动态平衡状态时，空间电荷区宽度、内电场强度不再变化，PN结形成。