在本征半导体中，由于载流子数量极少，SER2918H-682KL导电能力很弱，故其实用价值不大。如果在其中掺人某些微量杂质元素，就可以大大提高其导电能力，这种掺人了杂质元素的半导体称为杂质半导体。按掺入的杂质不同，杂质半导体可分为两类：N型半导体和P型半导体。
    在本征半导体硅（或锗）中掺人微量V价元素（如磷、砷、锑等），就形成了N型半导体。其结构示意图如图1.1.3 (a)所示。杂质原子有5个价电子，其中4个将分别与相邻硅（或锗）原子的价电子组成共价键，多余一个价电子因只受原子的吸引作用，所以很容易挣脱杂质原子而成为自由电子，杂质原子则成为带正电荷的离子，由于这个多余的价电子不在共价键中，因此，在成为自由电子时不会同时产生空穴。在室温下，杂质原子都处于这种电离状态，每个杂质原子产生一个自由电子，致使N型半导体中自由电子的数目显著增加，例如：在本征硅中掺人百万分之一的磷原子，在硅晶体中则会产生5×1022×10-6—5×l016个/cm一。个自由电子（硅的原子密度为5×1022个／CII1一3），而同时由本征激发产生的载流子浓庋仅为1.5×10如个／CITI-s。于是半导体中的自由电子数目多于空穴的数目，自由电子成为多数载流子，简称多子；空穴成为少数载流子，简称少子。这种主要靠自由电子导电的半导体称为电子型半导体或N型半导体。

           
    在本征半导体硅（或锗）中掺入微量Ⅲ价元素（如硼、铝、铟），就形成了P型半导体。其结构示意图如图1.1.3(b)所示。在组成共价键时，每个杂质原子产生一个空穴。在室温下，空穴能吸引邻近的价电子来填补，杂质原子获得电子变成了带负电荷的离子。由于每个杂质原子都可向晶体提供一个空穴，但同时不会产生自由电子，于是半导体中的空穴数目多于自由电子的数目，空穴成为多数载流子，自由电子为少子。这种主要靠空穴导电的半导体称为空穴型半导体或P型半导体。
    应该指出，在杂质半导体中，本征激发所产生的载流子浓度远小于掺杂所带来的载流子浓度。但是掺杂并没有破坏半导体内正、负电荷的平衡状态，它既没有失去电子，也没有获得电子，仍呈电中性，对外是不带电的。