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多芯片模块(MCM)技术

发布时间:2012/9/30 19:34:03 访问次数:1362

    MCM是20世纪90年代以A6614SED-03B来发展较快的一种先进的混合集成电路,它把几块IC芯片组装在一块电路板上构成功能电路块,称为多芯片模块( Multi Chip Module,MCM)。MCM技术可以说是SMT的延伸,一组MCM的功能相当于一个分系统的功能。通常MCM基板的布线多于4层,且有100个以上的I/O引出端,并将CSP,F.C,ASIC器件与之互连,它代表20纪90年代电子组装技术的精华,是半导体集成电路技术、厚膜/薄膜混合微电子技术、印制板电路技术的结晶,国际称之为微组装技术(Microelectronic Packagingechnolegy)。MCM技术主要用于超高速计算机、外层空间电子技术中。
    MCM技术通常分为三大类,即MCM-L、MCM-C和MCM-D。MCM-L (Laminat)是在印制电路上制作多层高密度组装连,是COB芯片-PCB组装技术的延伸与发展。MCM-C (Ceramic)是在陶瓷多层基板上用厚膜和薄膜多层方法制作高密度组装和互连。MCM-D( Deposition)是在硅基板或其他新型基板上采用沉积方法制作薄膜多层高密度组装和互连的
技术,在MCM制作中它的技术含量最高。
    若把几块MCM组装在普通电路板上就实现了电子设备或系统级的功能,从而使军事和工业用电路组件实现了模块化。预计21世纪的前20年将是MCM推广应用和使电子设备变革的时期。
    3.三维立体组装技术
    三维立体组装的指导思想是把MCM片、WSI大圆片规模集成片,一片片地叠起来,利用芯片的侧面边缘和垂直方向进行互连,将水平组装向垂直方向发展为立体组装。实现三维立体组装不但使电子产品的密度更高,也使其功能更多、信号传输更快、性能更好、可靠性更高,而电子系统的相对成本却会更低,它是目前硅芯片技术的最高水平。

                 

   当前实现3D组装的途径大致有三种:一是在多层基板内或多层布线介质中埋置R-C及IC,又称为“Chip in
Polymer”,整个制造过程可以在较低的温度下进行,并可达到高密度,高可靠性的目的,埋置R-C及IC完成后,再在基板顶端贴装各类片式元器件,故称为埋置型3D结构,如图1.8所示;二是在Si大圆片规模集成( WSI)盾作为有源基板型3D,结构如图1.9所示;三是将MCM上下层双叠互连起来成为3D,故称之为叠装
型3D结构,如图1.10所示。

                          

    MCM是20世纪90年代以A6614SED-03B来发展较快的一种先进的混合集成电路,它把几块IC芯片组装在一块电路板上构成功能电路块,称为多芯片模块( Multi Chip Module,MCM)。MCM技术可以说是SMT的延伸,一组MCM的功能相当于一个分系统的功能。通常MCM基板的布线多于4层,且有100个以上的I/O引出端,并将CSP,F.C,ASIC器件与之互连,它代表20纪90年代电子组装技术的精华,是半导体集成电路技术、厚膜/薄膜混合微电子技术、印制板电路技术的结晶,国际称之为微组装技术(Microelectronic Packagingechnolegy)。MCM技术主要用于超高速计算机、外层空间电子技术中。
    MCM技术通常分为三大类,即MCM-L、MCM-C和MCM-D。MCM-L (Laminat)是在印制电路上制作多层高密度组装连,是COB芯片-PCB组装技术的延伸与发展。MCM-C (Ceramic)是在陶瓷多层基板上用厚膜和薄膜多层方法制作高密度组装和互连。MCM-D( Deposition)是在硅基板或其他新型基板上采用沉积方法制作薄膜多层高密度组装和互连的
技术,在MCM制作中它的技术含量最高。
    若把几块MCM组装在普通电路板上就实现了电子设备或系统级的功能,从而使军事和工业用电路组件实现了模块化。预计21世纪的前20年将是MCM推广应用和使电子设备变革的时期。
    3.三维立体组装技术
    三维立体组装的指导思想是把MCM片、WSI大圆片规模集成片,一片片地叠起来,利用芯片的侧面边缘和垂直方向进行互连,将水平组装向垂直方向发展为立体组装。实现三维立体组装不但使电子产品的密度更高,也使其功能更多、信号传输更快、性能更好、可靠性更高,而电子系统的相对成本却会更低,它是目前硅芯片技术的最高水平。

                 

   当前实现3D组装的途径大致有三种:一是在多层基板内或多层布线介质中埋置R-C及IC,又称为“Chip in
Polymer”,整个制造过程可以在较低的温度下进行,并可达到高密度,高可靠性的目的,埋置R-C及IC完成后,再在基板顶端贴装各类片式元器件,故称为埋置型3D结构,如图1.8所示;二是在Si大圆片规模集成( WSI)盾作为有源基板型3D,结构如图1.9所示;三是将MCM上下层双叠互连起来成为3D,故称之为叠装
型3D结构,如图1.10所示。

                          

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