场效应晶88AP166-B0-BJD2C008体管（Field Effect Transistor,  FET），简称场效应管，是一种带有PN结的新型半导体器件。场效应管与半导体三极管的控制机理不同，它是一种电压控制器件，即利用电场效应来控制管子的电流，故命名为场效应管。与半导体三极管相比，场效应管具有输入阻抗高、制造工艺简单、噪声系数小、热稳定性好及动态范围大等优点，特别适用于大规模集成电路，在高频、中频、低频、直流、开关及阻抗变换电路中都有广泛应用。如图10-1所示为电路中常见的场效应管。
    目前场效应管的品种很多，可划分为两大类，一类是结型场效应管，另一类是绝缘栅型场效应管，而且每种结构又有N沟道和P沟道两种导电沟道。
    结型场效应管的结构及符号如图10-2所示。

    在N型硅棒两端引出漏极D和源极S两个电极，又在硅棒的两侧各做一个P区，形成两个PN结。在P区引出电极并连接起来，称为栅极G。这样就构成了N型沟道的场效应管。

           
    由于PN结中的载流子已经耗尽，故PN基本上是不导电的，形成了所谓耗尽区。当漏极电源电压UD -定时，如果栅极电压越负，PN结交界面所形成的耗尽区就越厚，则漏、源极之间导电的沟道越窄，漏极电流七就愈小；反之，如果栅极电压UG没有那么负，则沟道变宽、变大，所以用栅极电压UG可以控制漏极电流／D的变化，就是说，场效应管是电压控制元件。