绝缘栅场效应管是S29GL032N90TFI040由金属、氧化物和半导体所组成的，所以又称为金属一氧化物一半导体场效应管，简称MOS场效应管。
    绝缘栅场效应管的结构、电极及符号如图10-3所示。

              
    以一块P型薄硅片作为衬底，在它上面扩散两个高杂质的N型区，作为源极S和漏极D。在硅片表覆盖一层绝缘物，然后再用金属铝引出一个电极G（栅极）。由于栅极与其他电极绝缘，所以称为绝缘栅场面效应管。
    在制造管子时，通过工艺使绝缘层中出现大量正离子，故在交界面的另一侧能感应出较多的负电荷。这些负电荷把高渗杂质的N区接通，形成了导电沟道，即使在Ucs=0时也有较大的漏极电流／D。当栅极电压UG改变时，沟道内被感应的电荷量也改变，导电沟道的宽窄也随之而变，因而漏极电流七随着栅极电压UG的变化而变化。
    场效应管的工作方式有两种：当栅压为零时有较大漏极电流的称为耗散型：当栅压为零，漏极电流也为零，必须再加一定的栅压之后才有漏极电流的称为增强型。