对于线圈或电动机这样的电AT24C04B-PU感性负载来说，当驱动电压突然断开时会产生很大的反电动势（参见照片8.12）。所以一般的电路中为了防止电动机产生的反电动势烧坏开关器件，在H电桥各开关中必须接续流二极管——吸收反电动势的二极管。在本电路中当然也要求设计续流二极管。
    大部分开关用MOSFET中的二极管内藏在漏极一源极之间。如图10.9所示，2SK612也是将二极管内藏在漏极一源极之间。由图10. 9(b)看出这个二极管的特性完全能够满足本电路对于续流二极管的要求（15V／1A电动机用的续流二极管正向电流必须大于1A)。本设计电路中的续流二极管不是外接的，而是将2SK612内藏的二极管作为续流二极管使用的。

    一般的双扩散型功率放大用MOS-FET的结构中，在漏极一源极之间内藏着一个等效的二极管。顺便指出，如图10.10所示P沟MOSFET中二极管的接续方向是相反的。这个内藏二极管的正向电流和反向击穿电压与MOS-FET的漏极电流的绝对最大额定值、漏极一源极间电压的绝对最大额定值相同。通常就把这个二极管作为续流二极管使用。当这个二极管的电流容量不足时，再在漏极一源极间外接二极管。C。是H电桥电源的去耦电容，采用lOruFl25V的电解电容器(只要容量大于l)uF，耐压在15V以上即可）。