图2.12是LF411CN传输特性。MOSFET器件中除有与JFET相同的耗尽特性外，还有增强特性。
    对于N沟MOSFET，增强特性是指当VGS不在正的电压范围时就没有ID流过（P沟时VGS的极性相反）。
    MOSFET的耗尽特性与JFET的耗尽特性稍有不同，对于N沟器件即使VG。为正，fo仍持续流动(P沟情况下即使VG。为负，ID仍持续流动)。耗尽型MOSFET的IDSS不是漏极一源极间所流过的最大电流，只是VGS =OV时的漏极电流ID值。
    耗尽型MOSFET由于VGS =OV时仍有b流过（所谓Normally ON器件），所以很难应用在开关电路或者功率放大电路中。但是，它的优点是在高频放大电路中容易构成偏置电路，所以高频放大用的MOSFET几乎都是耗尽型的。
    对于VGs一OV时ID为零的增强型MOSFET(所谓Normally OFF器件)，如果把VBE当成VGS，就可以采用与晶体管相同的偏置方法，所以可以与晶体管相互置换使用。
    目前，应用于开关、调节器的开关器件或电动机驱动电路等功率放大电路的MOSFET(所谓的功率MOS)几乎都是增强型器件。

             
    JFET能限制IDSS以土的漏极电流，具有电流限制作用。但是MOSFET，不论是耗尽型还是增强型，VGS愈大漏极电流愈大，所以没有电流限制作用。