图2.11是图2.1电路中LF347N使用的N沟JFET 2SK184(东芝)的传输特性。图中的多根曲线说明器件特性存在分散性。

   （即使同一型号的FET，IDSS的分散性也会很大。因此，ID为ImA时的VGS会在-0.7～-O.1V范围变动。但是不论什么样的双极晶体管，它们的VBE都在0.6—0.7V之间）
    实际的FET的漏极饱和电流IDSS具有较大的分散性。由于IDSS的原因，使得ID为零时的电压——夹断电压V。也有变化。
    双极晶体管的特性是按直流电流放大系数值矗FE分档次的。但是对于FET不是按跨导g。而是按IDSS区分档次。g。与IDSS之间有关系，IDSS愈大，gm也愈大（如果是同型号的FET，IDSS愈大，传输特性曲线的斜率愈大，因而gm也大）。
    表2.1是2SK184的IDSS各档次。东芝器件的IDSS、hFE的档次是用Y（黄）、R（红）等颜色标记的。有的公司是用罗马字母标记的。
    (JFET的IDSS的分散性大，因此按照IDSS的值进行分档)
    图2.1的电路中，ID约为ImA，由图2.11看出，由于电路中使用的FET的IDSS值存在分散性，VGS在-0.7—-0.1V的范围内变动。

              
    照片2.8是图2.1电路中使用的2SK184的栅极电位口。与源极电位口。的波形（设定输入信号砂i为lkHz，0.5Vp-p）。
    由于VG。是口。与可。的直流成分之差，从照片看出这里使用的2SK184的VGS为-0.4V(以源极电位为基准，所以是负值)。因此，从图2.11中ID为ImA的线与VGS～-0.4V的线的交叉点可以看出这里使用的2SK184的IDSS约为6.5mA。
    实际上设计电路时的情况与此相反，从所使用FET的IDSS档次找到IDSS，从传输特特性曲线确定电路工作点的VGS值。