三极管的输入、输出特性曲线可用BZT52C3V3S-7-F晶体管特性图示仪进行显示或通过实验测绘出来。图2-8是共发射极接法时的输入特性曲线和输出特性曲线测试的实验电路图，图2-9是三极管输入特性曲线。

             
 
    （一）输入特性曲线
    输入特性曲线是指当集射极电压UCE为一定值时，基极电流i。与基射极电压UBE之间的关系曲线。即I/B=F(uBE)IUCE=常数
    从图2-9中可以看出，三极管输入特性曲线的特点是：
    当UCE =0 V时，集电极与发射极短接，相当于两个二极管并联，输入特性类似于二极管的正向伏安特性。
    当UCE≥1V时，集电结处于反向偏置，其吸引电子的能力加强，使得从发射区进入基区的电子更多地流向集电区，因此对应于相同的UBE流向基极的电流i。比原来uCE一0时减小了，特性曲线右移，如图2-9所示。
    实际上，对于一般的NPN型硅管，当UCE>1 V时，只要UBE保持不变，则从发射区发射到基区的电子数目一定，而集电结所加的反向电压大到1V后，已能把这些电子中的绝大部分吸引到集电极，所以即使UCE再增如，i。也不会有明显的变化，因此UCE≥1V以后的特性曲线基本上重合。
    从图2-9可见，三极管的输入特性曲线和二极管的伏安特性曲线一样，也有一段死区。只有当发射结的外加电压大于死区电压时，三极管才会有基极电流iB。硅管的死区电压约为0.5 V，锗管的死区电压约为O.lV。在正常工作情况下，NPN型硅管的基射极电压u匝=0.6～0.7V，锗管的基射极电压uBE =0.2～0.3V。