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频率特性好的原因

发布时间:2012/5/24 20:13:26 访问次数:803

    图6.6是考虑到FET各电极间存BA033在电容成分时画出的栅极接地放大电路。简单地理解,由于FET的输入电容Ci是CGS与米勒效应影响下CDS(CDS两端加电压为vi(AV-1),所以从源极看到的CDS增大了(AV-1)倍!?)之和,所以信号源的输出阻抗Rge。十源极电阻Rs这些电阻成分与CI构成了低通滤波器。

               

    但是如照片6.4所示,FET的源极端可以认为与交流极接地是等价的(尽管流过交流电流,但是几乎不产生交流电压)。栅极接地电路的源极端可以认为与使用OP放大器的反转放大器的假想接地点是同样的状态。
    因此,即使源极与GND间接人电容器C.也与GND-GND间接续电容器是相同的,所以不形成低通滤波器。


    图6.6是考虑到FET各电极间存BA033在电容成分时画出的栅极接地放大电路。简单地理解,由于FET的输入电容Ci是CGS与米勒效应影响下CDS(CDS两端加电压为vi(AV-1),所以从源极看到的CDS增大了(AV-1)倍!?)之和,所以信号源的输出阻抗Rge。十源极电阻Rs这些电阻成分与CI构成了低通滤波器。

               

    但是如照片6.4所示,FET的源极端可以认为与交流极接地是等价的(尽管流过交流电流,但是几乎不产生交流电压)。栅极接地电路的源极端可以认为与使用OP放大器的反转放大器的假想接地点是同样的状态。
    因此,即使源极与GND间接人电容器C.也与GND-GND间接续电容器是相同的,所以不形成低通滤波器。


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