高频范围的特性
发布时间:2012/5/24 20:10:51 访问次数:1055
图6.4是高频范围(lookHz～lOOMHz)电压增益和相B950A位的频率特性。从该图中可以看出高频截止频率ch约为8.3MHz。尽管使用的FET与第3章的源极接地放大电路相同，漏极电流和电压放大倍数也完全相同，但是由于是栅极接地，所以fch向高端延伸了1.5倍以上(源极接地的^h为5MHz)。
如果使用其他种类的FET其结果将会怎样？
图6.5是将图6.1电路中（不考虑更细致的细节）的FET由2SK184换为2SK241时测得的高频范围的频率特性。
对于2SK241，源极接地时的ch为15.2MHz（参见图3.19），栅极接地时约为14.5MHz，没有怎么变化。
图6.4是高频范围(lookHz～lOOMHz)电压增益和相B950A位的频率特性。从该图中可以看出高频截止频率ch约为8.3MHz。尽管使用的FET与第3章的源极接地放大电路相同，漏极电流和电压放大倍数也完全相同，但是由于是栅极接地，所以fch向高端延伸了1.5倍以上(源极接地的^h为5MHz)。
如果使用其他种类的FET其结果将会怎样？
图6.5是将图6.1电路中（不考虑更细致的细节）的FET由2SK184换为2SK241时测得的高频范围的频率特性。
对于2SK241，源极接地时的ch为15.2MHz（参见图3.19），栅极接地时约为14.5MHz，没有怎么变化。
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