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并联连接的关键是热耦合

发布时间:2012/5/12 19:53:11 访问次数:951

    电流集中在一方晶体管上的原因,主要FM24CL16B-GTR是由于热引起的。所以,必须重视射极跟随器各晶体管之间以及它们的偏置晶体管的热耦合(在后详述)。
    另外,这样并联连接的电路,输出阻抗也下降,所以更接近于理想的放大器。
    这样做的缺点是,各个晶体管的输入电容因为并联连接导致高频特性变坏,但这是个离声频频带遥远的数十兆赫兹频率的话题,所以不必介意使用并联连接方法。
    空载电流与失真率的关系
    如图5.6所示是利用制作的10W功率放大器改变空载电流的大小,得到A类、B类和AB类放大时的输出大小与失真率的数据。在放大器最大输出时,负载上流动的最大输出电流的1/2为空载电流。即使在无信号时,也在晶休管上不断地流动着。这就是所谓A类放大。这是NPN和PNP型两晶体管任何时候都处于工作状态、没有开关失真的低失真率的偏置方法。

                        

    所谓B类放大,是指在没有空载电流流动、且无信号时晶体管在截止状态使用的状况。这是推挽工作——即NPN型晶体管担当正电压,PNP型晶体管担当负电压,它们一起进行正负电压的输出工作。在正波与负波进行转换时,两个晶体管都截止。因此,两个晶体管间的连接不是很好,开关失真大,所产生的失真也变大。
    所谓AB类放大,是空载电流仅在最大输出电流的112以下流动的偏置方法。由于空载电流流过晶体管,所以开关失真要比B类放大得到相当大的,改善。
    图5.6是分别仅让lOmA的空载电流在并联连接的晶体管上流动的状况,然而,失真率却变得更好。因下面即将说明与发热有关,空载电流过大也没有什么意义。

    电流集中在一方晶体管上的原因,主要FM24CL16B-GTR是由于热引起的。所以,必须重视射极跟随器各晶体管之间以及它们的偏置晶体管的热耦合(在后详述)。
    另外,这样并联连接的电路,输出阻抗也下降,所以更接近于理想的放大器。
    这样做的缺点是,各个晶体管的输入电容因为并联连接导致高频特性变坏,但这是个离声频频带遥远的数十兆赫兹频率的话题,所以不必介意使用并联连接方法。
    空载电流与失真率的关系
    如图5.6所示是利用制作的10W功率放大器改变空载电流的大小,得到A类、B类和AB类放大时的输出大小与失真率的数据。在放大器最大输出时,负载上流动的最大输出电流的1/2为空载电流。即使在无信号时,也在晶休管上不断地流动着。这就是所谓A类放大。这是NPN和PNP型两晶体管任何时候都处于工作状态、没有开关失真的低失真率的偏置方法。

                        

    所谓B类放大,是指在没有空载电流流动、且无信号时晶体管在截止状态使用的状况。这是推挽工作——即NPN型晶体管担当正电压,PNP型晶体管担当负电压,它们一起进行正负电压的输出工作。在正波与负波进行转换时,两个晶体管都截止。因此,两个晶体管间的连接不是很好,开关失真大,所产生的失真也变大。
    所谓AB类放大,是空载电流仅在最大输出电流的112以下流动的偏置方法。由于空载电流流过晶体管,所以开关失真要比B类放大得到相当大的,改善。
    图5.6是分别仅让lOmA的空载电流在并联连接的晶体管上流动的状况,然而,失真率却变得更好。因下面即将说明与发热有关,空载电流过大也没有什么意义。

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