图5.5是对前面讨论的达林顿射FM24CL04B-GTR极跟随器进行并联连接的电路。

                  
   
    与其说该电路的最大输出电流为Tr，与Tr。的电流值之和，不如说将必要的输出电流由Tri与Tr2来分担。
    这样一来，每一个晶体管的输出电流大幅度（即1/2）地减少。使得每一个晶体管的发热量也大幅度地减少，电路变得稳定。
    图中的电阻RB是使并联连接的晶体管上所流过的电流得到平衡用的基极限制电阻。
    如果没有这个限制基极电流的电阻则Tr，的温度比Tr3高，集电极电流变大时，Tr，的发热就增加，使基极电流更加增加，其结果导致集电极电流，更加增加。这样一来，负载上流过的电流值，因负载电阻值与所加的电压是一定的值，所以Tr，电流的增加部分是Tr。屯流的减少部分。Tri的电流更多地流动，使得电流集中到Tr，上，发热进一步增加，电流再增加。
    这就是并联连接时必须要考虑的电流集中的问题。
    防止电流集中的一个方法，是增大发射极电阻基极电压VB是一定的，电流增加，由于RE的存在，VE就变大，基极一发射极间电压VB。就变小，电流因此被限制，就能有效防止电流集中。
    但是，该发射极电阻RE -增大，因发射极电阻的压降，能够输出的最大电压就下降，所以RE不能太大（数欧）。
    除此之外，还有加入限制基极电流的电阻RB的方法。该方法的原理与增大发射极电阻值的情况相同。Tri的基极电流一增加，则因RB而产生压降RBIB。此时加在RB的电压VB为一定值，所以增加基极电流工。，而就产生电压降RBIB的部分为晶体管的V BE减少的部分，这就抑制了集电极电流的增加。
    这样，电阻RB是为防止电流集中在一方的晶体管上而设定的。