所谓晶体管的安全工作区是将FM24V02-GTR晶体管没有被损坏的范围表示在曲线图上的区域，即是安全工作区ASO(Area of Safe Operation)。它如图5.9所示的曲线图，被集电极电流Ic、集电极损耗Pc和集电极一发射极间电压CEO所限定。
    这个曲线图的纵轴是由最大集电极电流所决定的。然而如果是单个脉冲,即使超过最大额定值也行。
   
    看一下横轴，在集电极损耗PC=IC。VCE以下，由集电极电流限定，为平   坦的直线。但在该值以上，当VCE增加,则成为随Pc而向右下降的曲线。   
    若增加VCE，接着就会发生所谓二次 击穿。高的VCE与大的Ic，使结温急剧 地上升，电流再次增加，由温度上升的所谓电流集中——即仅在晶体管芯片的一   点电流流动而产生熔化，发生发射极一集 电极间的短路。由于这个限制，向右下集电极一发射极间电压VCE,降得更加厉害。

                  
    
    横轴的最大值是由VCEO所决定。
    在单个脉冲的情况下，比起连续工  警鬟羹圣极电流以及集电极一发射极间电压，集作区域来，通常ASO要宽广一些。这表  电极损耗，2次击穿4个项目所割约’明，如果时间短，即使超过最大集电极损耗，也存在安全工作区。因集电极电流而产生的发热到变为最大结温需要一定的时间，在到达ASO区域前，若能停止电流的流动，就没有问题。
    晶体管能够安全工作的范围是被k、VCE、Pc和二次击穿所限制的区域。