在晶圆中MIC污染物被控制在1010原子/cm2的范围内甚至更少
发布时间:2023/10/6 20:14:06 访问次数:76
静电对元件的封装区域也有特别的影响,这样就要求在敏感的元器件(如大矩阵内存)的加工和运输中采用防静电装置。光刻掩膜工艺的掩膜版对静电放电也非常敏感。放电可气化并损坏镀铬掩膜层。有些设备故障也与静电有关,特别是机械手、晶圆传送器、测量仪器。
晶圆通常由PFA材料制的机械手送入设备中。这种材料是防化学腐蚀的,但不导电。
静电存在晶圆里,但无法从机械手泄放。当机械手靠近设备的金属部分时,晶圆表面的静电就会对设备放电,产生的电磁干扰就会影响设备的正常工作。
抽出变压器油至清洁干燥的油桶或油槽中存放,将油箱内的残油放净,清除积存在箱底的铁锈等杂物,然后用干净白布擦净油箱。
检查处理完毕,即可将铁心吊人油箱。在铁心吊入油箱前,应进行缺陷处理并进行电气试验,即测量绕组的绝缘电阻;
变压器组装完毕后,应做油压试验15min(其压力对于波状油箱和有散热器的油箱应比正常压力增加0,3m油柱)各部件接合面密封衬垫及焊缝应无渗漏。
在半导体材料中,以离子形态存在的金属离子污染物,称为可动离子污染物。
危害半导体工艺的典型金属杂质是碱金属离子,它们在普通化学品和工艺中都很常见。
最常见的可动离子污染物是钠离子。钠离子是硅中移动性最强的物质,因此,对钠的控制成为硅片生产的首要目标。
MIC的问题对MOs器件的影响更为严重,所以,在晶圆中,MIC污染物必须被控制在1010原子/cm2的范围内甚至更少。有必要采取措施研制开发MOs级或低钠级的化学品。

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静电对元件的封装区域也有特别的影响,这样就要求在敏感的元器件(如大矩阵内存)的加工和运输中采用防静电装置。光刻掩膜工艺的掩膜版对静电放电也非常敏感。放电可气化并损坏镀铬掩膜层。有些设备故障也与静电有关,特别是机械手、晶圆传送器、测量仪器。
晶圆通常由PFA材料制的机械手送入设备中。这种材料是防化学腐蚀的,但不导电。
静电存在晶圆里,但无法从机械手泄放。当机械手靠近设备的金属部分时,晶圆表面的静电就会对设备放电,产生的电磁干扰就会影响设备的正常工作。
抽出变压器油至清洁干燥的油桶或油槽中存放,将油箱内的残油放净,清除积存在箱底的铁锈等杂物,然后用干净白布擦净油箱。
检查处理完毕,即可将铁心吊人油箱。在铁心吊入油箱前,应进行缺陷处理并进行电气试验,即测量绕组的绝缘电阻;
变压器组装完毕后,应做油压试验15min(其压力对于波状油箱和有散热器的油箱应比正常压力增加0,3m油柱)各部件接合面密封衬垫及焊缝应无渗漏。
在半导体材料中,以离子形态存在的金属离子污染物,称为可动离子污染物。
危害半导体工艺的典型金属杂质是碱金属离子,它们在普通化学品和工艺中都很常见。
最常见的可动离子污染物是钠离子。钠离子是硅中移动性最强的物质,因此,对钠的控制成为硅片生产的首要目标。
MIC的问题对MOs器件的影响更为严重,所以,在晶圆中,MIC污染物必须被控制在1010原子/cm2的范围内甚至更少。有必要采取措施研制开发MOs级或低钠级的化学品。

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