TDS7000系列实时示波器，这也是当时速度最快的商用示波器，采用的正是IBM的旗舰SiGe 5HP技术。

目前，继续采用IBM业界领先的IC技术，也就是其第四代SiGe 8HP技术。

芯片产业中可靠性较高的成熟制造工艺，其性能水平可与磷化铟(InP) 和砷化镓 (GaAs) 等稀有材料技术相媲美。

SiGe技术能继续提供新一代高性能测试仪器所需的性能。鉴于SiGe技术的优势，该技术显然仍是各种高速测试应用的首选半导体技术。

如果屏蔽电缆屏蔽层出现损伤,屏蔽电缆中心导线没有出现任何损伤,屏蔽电缆屏蔽层损伤部位接近屏蔽电缆末端,损伤区域≤200mm(7.874in),需要对屏蔽电缆屏蔽层进行修理。

断开屏蔽电缆外层绝缘和屏蔽层,剥除屏蔽电缆外层绝缘,在屏蔽电缆上安装1个热缩套管和2个焊锡套管,去除CF22连接线两头的绝缘层。

与其他技术不同的是，SiGe BiCMOS能在与标准CMOS相同的裸片上集成高速双极晶体管，从而打造出具有超高性能与高集成度的电路系统。正是这种组合优势使得推出特性丰富的高速数据采集系统。

11MHz增益带宽与20V/us高压摆率支持在高精度数据采集系统中的使用；

同类最低的噪声、1kHz下5.1nV/rtHz电压噪声密度以及0.1Hz至10Hz的250nVpp低频率噪声，可为整个宽泛频率实现高灵敏度与高分辨率系统；

与性能最接近的同类竞争产品相比，4.5V(+2.25V)至36V(+18V)的宽泛电源与最高2mA的低静态电流可将功耗降低13%。

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