内部时钟与外部时钟有偏差造成因数据不同步而产生错误的恶果
发布时间:2023/9/15 18:51:09 访问次数:201
DDR SDRAM的tAC就是因为内部时钟与外部时钟有偏差而引起的，它很可能造成因数据不同步而产生错误的恶果。
实际上，不同步就是一种正/负延迟，如果延迟不可避免，那么若是设定一个延迟值，如一个时钟周期，那么内外时钟的上升与下降沿还是同步的。鉴于外部时钟周期也不会绝对统一，所以需要根据外部时钟动态修正内部时钟的延迟来实现与外部时钟的同步，这就是DLL的任务。
安装且并了的简化DSP的芯科IC，这让该产品在全球范围可以通用；Full-shield架构改进了抗噪声性能。
除标准采用QFP（Quad flat package）封装外，40pin及48pin产品采用QFN（Quad flat no lead）封装，产品尺寸分别为6mmｘ6mm及7mmｘ7mm（0.75mm厚），与32位产品（100pinQFP，14mmｘ14mm）相比，外部引脚数量减少一半，封装厚度缩小46%，封装面积最多减少82%。
此外，可与V850ES/Jx3已有产品互换，优化了功能与电路。
在V850系列中，20MHz到200MHz采用统一架构。因而便于整机厂商在扩充产品线时沿用已有的开发软件，缩短开发周期，压缩开发成本。
每一颗芯片都有一个DQS信号线，它是双向的，在写入时它用来传送由北桥发来的DQS信号，读取时，则由芯片生成DQS向北桥发送。完全可以说，它就是数据的同步信号。
由于是并行传输，DDR内存对tAC也有一定的要求，对于DDR266，tAC的允许范围是±0.75ns，对于DDR333，则是±0.7ns，有关它们的时序图示见前文，其中CL里包含了一段DQS的导入期。
深圳市慈安科技有限公司http://cakj.51dzw.com
DDR SDRAM的tAC就是因为内部时钟与外部时钟有偏差而引起的，它很可能造成因数据不同步而产生错误的恶果。
实际上，不同步就是一种正/负延迟，如果延迟不可避免，那么若是设定一个延迟值，如一个时钟周期，那么内外时钟的上升与下降沿还是同步的。鉴于外部时钟周期也不会绝对统一，所以需要根据外部时钟动态修正内部时钟的延迟来实现与外部时钟的同步，这就是DLL的任务。
安装且并了的简化DSP的芯科IC，这让该产品在全球范围可以通用；Full-shield架构改进了抗噪声性能。
除标准采用QFP（Quad flat package）封装外，40pin及48pin产品采用QFN（Quad flat no lead）封装，产品尺寸分别为6mmｘ6mm及7mmｘ7mm（0.75mm厚），与32位产品（100pinQFP，14mmｘ14mm）相比，外部引脚数量减少一半，封装厚度缩小46%，封装面积最多减少82%。
此外，可与V850ES/Jx3已有产品互换，优化了功能与电路。
在V850系列中，20MHz到200MHz采用统一架构。因而便于整机厂商在扩充产品线时沿用已有的开发软件，缩短开发周期，压缩开发成本。
每一颗芯片都有一个DQS信号线，它是双向的，在写入时它用来传送由北桥发来的DQS信号，读取时，则由芯片生成DQS向北桥发送。完全可以说，它就是数据的同步信号。
由于是并行传输，DDR内存对tAC也有一定的要求，对于DDR266，tAC的允许范围是±0.75ns，对于DDR333，则是±0.7ns，有关它们的时序图示见前文，其中CL里包含了一段DQS的导入期。
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