+0.1dB增益平坦度典型值带宽最高分别达到13.5MHz和30MHz
发布时间:2023/9/23 23:17:02 访问次数:197
这种新技术将使非易失性存储器突破NAND闪存的20纳米的极限，使加工工艺缩小到5纳米，从而更加节省成本。
这个技术能够使DRAM内存和存储结合为一个高速的、高带宽的架构。但是，这个飞跃还有很长的路要走。基于本周三宣布的这种技术的产品还要等许多年才能出现。
这种技术能够在同一个基本的硫族(元素)化物材料商创建薄膜内存单元机器控制薄膜选择器，并且在一个交叉点架构上把这些元件组合在一起。
这款新型滤波器的SD通道具有6.75MHz的平坦度，包含两个用于SD滤波的5阶Butterworth滤波器。SD部分还包含了用于复合视频基带信号输出的一组内置Y/C通道。ED/HD通道由三个5阶Butterworth滤波器组成，其+0.1dB增益平坦度典型值带宽最高分别达到13.5MHz和30MHz。
ADA4424-6还集成了一个电荷泵，允许输出摆幅低于地电平1.4V，因而可省去大的耦合电容。此滤波器的输出驱动器可提供固定增益为6.2dB的轨到轨输出。
这项技术突破称作PCMS（相变内存与开关）的相变内存（PCM）技术的一个进步。
nvSRAM对于要求绝对数据非易失安全性的应用来说是理想的选择，如RAID系统、工业控制和自动化（如PLC，马达控制、马达驱动和机器人）、单板计算机、POS终端、电子抄表、汽车、医疗和数据通信系统。
并行nvSRAM的存取时间可达20纳秒，读、写和取回次数是无限的，数据最长可以保存20年。
新的薄膜选择器名为双向阈值开关，允许把多层的内存/选择器层放在一个CMOS基础上，以创建高密度、高带宽的PCM内存。
深圳市慈安科技有限公司http://cakj.51dzw.com
这种新技术将使非易失性存储器突破NAND闪存的20纳米的极限，使加工工艺缩小到5纳米，从而更加节省成本。
这个技术能够使DRAM内存和存储结合为一个高速的、高带宽的架构。但是，这个飞跃还有很长的路要走。基于本周三宣布的这种技术的产品还要等许多年才能出现。
这种技术能够在同一个基本的硫族(元素)化物材料商创建薄膜内存单元机器控制薄膜选择器，并且在一个交叉点架构上把这些元件组合在一起。
这款新型滤波器的SD通道具有6.75MHz的平坦度，包含两个用于SD滤波的5阶Butterworth滤波器。SD部分还包含了用于复合视频基带信号输出的一组内置Y/C通道。ED/HD通道由三个5阶Butterworth滤波器组成，其+0.1dB增益平坦度典型值带宽最高分别达到13.5MHz和30MHz。
ADA4424-6还集成了一个电荷泵，允许输出摆幅低于地电平1.4V，因而可省去大的耦合电容。此滤波器的输出驱动器可提供固定增益为6.2dB的轨到轨输出。
这项技术突破称作PCMS（相变内存与开关）的相变内存（PCM）技术的一个进步。
nvSRAM对于要求绝对数据非易失安全性的应用来说是理想的选择，如RAID系统、工业控制和自动化（如PLC，马达控制、马达驱动和机器人）、单板计算机、POS终端、电子抄表、汽车、医疗和数据通信系统。
并行nvSRAM的存取时间可达20纳秒，读、写和取回次数是无限的，数据最长可以保存20年。
新的薄膜选择器名为双向阈值开关，允许把多层的内存/选择器层放在一个CMOS基础上，以创建高密度、高带宽的PCM内存。
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