开关频率在250kHz至2.2MHz范围内是用户可编程的，从而使设计师能够优化效率，同时避开关键噪声敏感频段。

每个集成的跟踪LDO都有一个准确和高达200mA的可编程限流值，以确保提供更高级别的可靠性。跟踪LDO的高准确度使这些LDO非常适合给ADC和传感器供电。尽管这些LDO可以由独立输入供电，但是用主开关输出给它们供电可以同时实现高效率和低噪声。

耐热增强型MSOP-16E封装与高开关频率相结合，可组成占板面积紧凑的高热效率解决方案。

LT3668的主开关采用了高效率600mA开关，必要的振荡器、控制和逻辑电路集成在单一芯片中。

两种型号的硅基TFET，一种面向具有超低泄漏电流和优化导通电流的逻辑电路，另一种面向具有极低晶体管特性偏差的SRAM电路。两种型号均使用垂直型隧穿操作，以增强隧穿属性。

逻辑TFET使用精确控制的外延材料生长工艺确保使用碳和掺磷硅(phosphorus doped Si)的隧道结形成过程。这里提及的硅/硅锗(SiGe)结也已被全面评估，以确保优化配置。

因此，该设备的导通电流相比于硅TFET高两个数量级，而且N型和P型TFET的超低关态电流相同。对于SRAM型号的TFET开发，提出新颖的TFET运行架构，无需形成结构化隧道结。它可消除工艺变异性，并显著抑制晶体管的特性偏差。

高度的灵活性，可将任何微控制器(MCU)与CC3100解决方案配合使用，或通过CC3200的集成式用户专用可编程ARM®Cortex®-M4 MCU，允许客户添加自己的代码。

Wi-Fi为IoT应用提供稳健性,互操作性和无处不在连通性,这些解决方案是Wi-Fi促进IoT发展最佳范例。

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