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单通路变成多通路并行传输速率从4266Mbps提升至6400Mbps

发布时间:2022/12/3 16:28:55 访问次数:72

可数字控制的离线恒压/恒流零电压开关(ZVS)反激式IC,可大幅缩减电源适配器的尺寸。

InnoSwitch4-ProIC可与Power Integrations的ClampZero系列有源钳位IC无缝衔接,在连续导通模式(CCM)和非连续导通模式(DCM)下实现ZVS。

ZVS与我们的PowiGaN™技术相结合,几乎消除了开关损耗。其超过95%的效率,使设计人员能够省去热管理通常需要的散热片、导热片和灌封材料。

如果在使用InnoSwitch4-Pro和ClampZero IC之外,再使用MinE-CAP™器件,则可以进一步减小适配器的尺寸。MinE-CAP IC同样基于PowiGaN技术,可将输入电容的尺寸减小约40%。

LPDDR5支持多Bank Group模式。相比于LPDDR4/4X的Single Bank Group模式,LPDDR5将数据传输从单通路变成了多通路并行,传输速率从4266Mbps提升至6400Mbps,传输带宽从34GB/s提升到了51GB/s。

其次,LPDDR5采用WCK信号设计,数据总线用差分时钟WCK采样,WCK源同步于数据(DQ),因此WCK信号的频率会随着数据的读写而起停,让存储器在写入时无时延,从而提升传输速率。

此外,为保障读信号完整(Read SI),减少冗余信号干扰,LPDDR5支持非目标性片内终结( NT-ODT)技术,进一步提升数据传输速率。

SMTOAK2瞬态抑制二极管系列,大功率、高浪涌额定值瞬态抑制二极管只能采用轴向引线型封装。

表面贴装SMTOAK2瞬态抑制二极管,SMTOAK2瞬态抑制二极管系列非常适合要求在小尺寸中提供强大保护的高功率密度应用,包括:

ICT、医疗、工业直流电源设备;

大功率直流总线保护;

暴露于恶劣环境的直流电源设备;

以太网供电(PoE)端口;

小基站、微基站、远程无线电单元(RRU)、基带单元(BBU);

高功率密度SiC和基于GAN的DC/DC转换器/电源设备。

上海德懿电子科技有限公司  www.deyie.com

来源:eccn.如涉版权请联系删除。图片供参考

可数字控制的离线恒压/恒流零电压开关(ZVS)反激式IC,可大幅缩减电源适配器的尺寸。

InnoSwitch4-ProIC可与Power Integrations的ClampZero系列有源钳位IC无缝衔接,在连续导通模式(CCM)和非连续导通模式(DCM)下实现ZVS。

ZVS与我们的PowiGaN™技术相结合,几乎消除了开关损耗。其超过95%的效率,使设计人员能够省去热管理通常需要的散热片、导热片和灌封材料。

如果在使用InnoSwitch4-Pro和ClampZero IC之外,再使用MinE-CAP™器件,则可以进一步减小适配器的尺寸。MinE-CAP IC同样基于PowiGaN技术,可将输入电容的尺寸减小约40%。

LPDDR5支持多Bank Group模式。相比于LPDDR4/4X的Single Bank Group模式,LPDDR5将数据传输从单通路变成了多通路并行,传输速率从4266Mbps提升至6400Mbps,传输带宽从34GB/s提升到了51GB/s。

其次,LPDDR5采用WCK信号设计,数据总线用差分时钟WCK采样,WCK源同步于数据(DQ),因此WCK信号的频率会随着数据的读写而起停,让存储器在写入时无时延,从而提升传输速率。

此外,为保障读信号完整(Read SI),减少冗余信号干扰,LPDDR5支持非目标性片内终结( NT-ODT)技术,进一步提升数据传输速率。

SMTOAK2瞬态抑制二极管系列,大功率、高浪涌额定值瞬态抑制二极管只能采用轴向引线型封装。

表面贴装SMTOAK2瞬态抑制二极管,SMTOAK2瞬态抑制二极管系列非常适合要求在小尺寸中提供强大保护的高功率密度应用,包括:

ICT、医疗、工业直流电源设备;

大功率直流总线保护;

暴露于恶劣环境的直流电源设备;

以太网供电(PoE)端口;

小基站、微基站、远程无线电单元(RRU)、基带单元(BBU);

高功率密度SiC和基于GAN的DC/DC转换器/电源设备。

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