高压功率系统设计人员努力满足硅MOSFET和IGBT用户对持续创新的需求。基于硅的解决方案在效率和可靠性方面通常无法兼得，也不能满足如今在尺寸、重量和成本方面极具挑战性的要求。

额定电压介于650V至1200V的SiC功率器件的采用率越来越高，如今的1700V SiC产品便是在其成功的基础上打造而成。技术的进步推动终端设备取得了极大的发展.

设计人员可借助适当的功率器件封装和栅极驱动最大程度地发挥1700V SiC MOSFET的优势，这样便能在最宽的功率水平内扩大其相对于现有硅解决方案的优势。

此外，完整配置系统还需要微控制器(MCU)、数据集中器和无线收发器。从头开始设计无线LED照明控制系统是一项多学科的任务，需要承担很大的风险，并可能延迟上市时间。

作为替代方法，设计人员可以使用预制的联网LED照明控制开发平台。这些平台具有高能效、高 PF，以及全面的无线控制功能（开/关、调光和其他模式）和多个独立控制的LED通道，提供最大的设计灵活性。

超声系统由换能器、发射电路、接收电路、后端数字处理电路、控制电路和显示模块等组成。数字处理模块通常包含现场可编程门阵列(FPGA)，FPGA根据系统的配置和控制参数，生成发射波束合成及相应的波形模式。发射电路中的驱动和高压电路生成高压信号来激励超声换能器。

T/R开关的主要目的是防止高压发射信号损坏低压接收模拟前端。

模拟电压信号经过信号调理、放大和滤波后，传输至集成ADC的模拟前端，然后转换成数字数据。数字数据通过JESD204B或LVDS接口发送到FPGA进行接收波束合成，再到后端数字部分进一步处理，从而生成超声图像。

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