PCM读取反应时间与最小单元一比特的NOR闪存相当，而它的的带宽可以媲美DRAM。相对的，NAND闪存因随机存储时间长达几十微秒，无法完成代码的直接执行。

PCM能够达到如同NAND的写入速度,但是PCM的反应时间更短,且无需单独的擦除步骤。

NOR闪存具有稳定的写入速度，但是擦除时间较长。PCM同RAM一样无需单独擦除步骤，但是写入速度(带宽和反应时间)不及RAM。随着PCM技术的不断发展，存储单元缩减，PCM将不断被完善。

缩放比例是PCM的第五个不同点。NOR和NAND存储器的结构导致存储器很难缩小体型。

这不仅会增大误码率，而且降低使用寿命。随着光刻制程尺寸的减小，快闪存储器密度会进一步提高，错误率也会增大。

高级控制器技术提升可靠度尽管快闪存储器储存可靠性面临着上述挑战，但我们仍然能够将其用于日常的消费类、商业类甚至关键任务性的应用，这方面主要得益于先进的快闪存储器控制器技术。这些控制器结合了在磨损平衡、电源故障管理和纠错等方面的先进技术，使我们能够安全可靠地使用当今的高密度快闪存储器。

ModusToolbox™3.0开发平台兼容，可助力开发者以此为基础面向各种应用场景获得独特的开发体验，包括消费物联网、汽车人机交互（HMI）、工业、智能家居、可穿戴设备等应用。

除了PSoC 4之外，ModusToolbox 3.0开发平台还能够兼容使用PSoC 6、XMC™、AIROC™Wi-Fi、AIROC Bluetooth®和EZ-PD™ PMG1微控制器等产品的嵌入式应用。

二极管的符号和编号,二极管一般用字母D、VD等表示。除了稳压二极管,常用的二极管还有整流二极管、开关二极管、检波二极管、快恢复二极管、发光二极管等。二极管的符号和编号。