多组电压动态调节，功耗降低30%,LPDDR5内部有三组电压，VDD1/VDD2/VDDQ，其中VDD2又分为VDD2H和VDD2L。相比LPDDR4X，LPDDR5的VDD2H由1.1V降至1.05V，VDDQ由0.6V降至0.5V。

高效的电源设备、大电流和高速MOSFET/IGBT设计的应用在全球范围内越来越普遍，监管要求也越来越高。这些快速开关设计需要防电感反冲保护。通过使用大功率SMTOAK2瞬态抑制二极管系列，设计者可以实现高可靠性和耐用性，同时减少所需的电路板空间和组装时间。

通过改进的紧凑型SMTO-263表面贴装，使设计者能够以更小的PCB空间实现强大的电路保护，其尺寸比SMTO-218表面贴装解决方案小50%。

SMTOAK2瞬态抑制二极管系列非常适合要求在小尺寸中提供强大保护的高功率密度应用，包括：

ICT、医疗、工业直流电源设备；

大功率直流总线保护；

暴露于恶劣环境的直流电源设备；

以太网供电（PoE）端口；

小基站、微基站、远程无线电单元（RRU）、基带单元（BBU）；

高功率密度SiC和基于GAN的DC/DC转换器/电源设备。

这些高度集成的器件采用稳定耐用的PowiGaN氮化镓初级开关，稳态开关频率高达140kHz，可减少用于手机、笔记本电脑、平板电脑和多端口配件市场的超紧凑适配器应用所需的元件数量和PCB板面积。

通过动态电压调节 （DVFS）功能，LPDDR5可在低速工作时切换至更低电压，节省更多功耗；待机时，LPDDR5会进入深度睡眠模式（Deep-sleep mode），将功耗降低到最小。

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