电子器件和电机是现代社会的支柱，很难想象失去让我们高效、舒适、信息丰富、娱乐的众多电子器件后的工作和生活。可以非常概括地说，这些设备都需要电力才能运行，包括用于500kW工业电机的可变频率和振幅的三相交流电以及用于数字处理器的0.6V直流电。

从化石燃料或可再生能源中的潜能一直到CPU内核电压，都需要功率转换级以及尽可能降低散逸到环境中的损耗。然而，随着全球能耗不断增加（2019年约为180,000 TWh），不完美的转换效率会导致产生的热量增加，加剧全球变暖，提高电力供应商和消费者等各方的成本。

从检测到保护只需30纳秒，GaNSense技术比分立式的氮化镓功率芯片的实现方案快 600%。

新的GaNFast功率芯片的RDS(ON)范围为120至450毫欧，采用5 x 6 mm或6 x 8 mm PQFN封装，具有GaNSense保护电路和无损电流感应。

作为纳微第三代氮化镓功率芯片，针对现代电源转换拓扑结构进行了优化，包括高频准谐振反激式（HFQR）、有源钳位反激式（ACF）和PFC升压，这些都是移动和消费市场内流行的提供最快、最高效和最小的充电器和适配器的技术方法。

这些器件嵌入高速存储器(2MB闪存和640KB SRAM,用于静态存储器的灵活存储器控制器(FSMC),两个OctoSPI闪存接口和广泛的增强I/O和外设,连接两条APB总线,两条AHB总线和32位多AHB总线矩阵.

快速12位ADC(5Mbps),两个比较器,两个运算放大器,两个DAC通路,内部电压基准缓冲器,低功耗RTC,两个通用16位计时器,专用于马达控制的16位PWM计时器,七个通用16位计时器和两个16位低功耗计时器.

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