单个MOS驱动的结构通过MCU的 PWM模块调整占空比
发布时间:2021/11/14 22:16:35 访问次数:446
UCC21225A 是隔离的双通道驱动芯片，原边供电电压3V-18V，副边供电电压6.5V – 25V，驱动延迟时间18ns，CMTI为100V/ns，驱动能力4A/6A，隔离等级为2500Vrms（在UL1577标准下）。
UCC21225A根据外围线路，支持两通道的低边驱动，两通道的高边驱动和半桥驱动。在本文中，通过配置DT引脚，UCC21225工作在overlap模式。
驱动线路是完全隔离的，即驱动的原边和副边是隔离，驱动通道1和通道2是隔离。即使MOS失效，比如任意MOS短路，系统的高压并不能传导到低压，从而实现故障隔离。
在电源和电机驱动应用中，功率MOS可以在不同的调制方式下，实现相应的能量转换功能。单个MOS驱动的结构,通过MCU的 PWM模块调整占空比，控制功率MOS的通断，达到相应的功能。
双存储区工业标准闪存：M29DW323D 和M29DW324D。新器件的推出进一步丰富了ST公司已经很完整的M29系列闪存的产品组合。
通过一个块保护命令可以对扩展块施加保护，因此，扩展块可用于存储安全性数据，为需要有一个对终端用户锁定的存储区的所有应用(客户的配置数据)提供额外的保护功能。
(素材来源：ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢）
UCC21225A 是隔离的双通道驱动芯片，原边供电电压3V-18V，副边供电电压6.5V – 25V，驱动延迟时间18ns，CMTI为100V/ns，驱动能力4A/6A，隔离等级为2500Vrms（在UL1577标准下）。
UCC21225A根据外围线路，支持两通道的低边驱动，两通道的高边驱动和半桥驱动。在本文中，通过配置DT引脚，UCC21225工作在overlap模式。
驱动线路是完全隔离的，即驱动的原边和副边是隔离，驱动通道1和通道2是隔离。即使MOS失效，比如任意MOS短路，系统的高压并不能传导到低压，从而实现故障隔离。
在电源和电机驱动应用中，功率MOS可以在不同的调制方式下，实现相应的能量转换功能。单个MOS驱动的结构,通过MCU的 PWM模块调整占空比，控制功率MOS的通断，达到相应的功能。
双存储区工业标准闪存：M29DW323D 和M29DW324D。新器件的推出进一步丰富了ST公司已经很完整的M29系列闪存的产品组合。
通过一个块保护命令可以对扩展块施加保护，因此，扩展块可用于存储安全性数据，为需要有一个对终端用户锁定的存储区的所有应用(客户的配置数据)提供额外的保护功能。
(素材来源：ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢）
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