A-selection齐纳二极管BZT52H-A(SOD123F)和BZX384-A(SOD323)系列的容差仅有±1%，相比B(±2%)和C(±5%)版本，可提供更高精度的基准电压。这两个系列不仅可以满足日渐增长的移动便携式和可穿戴应用、汽车和工业应用的需求及监管要求，也可以支持Q产品组合器件。

低容差可提供更高精度的电压，对应用的测试与测量尤其关键，可帮助工程师取代成本更高的电压基准器件。相比直接保护MOSFET，另一种替代方案更为经济，即将漏极-栅极路径与齐纳二极管并联。

齐纳二极管被击穿后，MOSFET随即导通，防止漏极-源极发生雪崩击穿。

三芯片充电器解决方案最初是为了提高笔记本电脑适配器以及智能手机充电器等产品应用的性能而开发的。Diodes 具颠覆性的 UHPD 充电器解决方案能提供更小的尺寸、更高的效率与更低的待机功率。

组成这个解决方案的三个 IC 装置包括 AP3306 主动钳位返驰式控制器、APR340 同步整流 MOSFET 驱动器及 AP43771V USB Type-C® 电力传输 (PD) 译码器。三者合一能提供用户更便携、节能及环保的充电器设计选项。

SRN2012T型半屏蔽功率电感系列。 新型电感器在铁氧体磁芯上采用绕线结构，工作温度范围为-40至+125 °C，卓越的自谐振频率和低直流电阻可提供高感值和Q值。

加上紧凑的尺寸使该系列成为音频耳机、真无线立体声耳机、电缆调制解调器、机顶盒、硬盘驱动器、平板计算机和各种移动电子设备的射频信号处理、谐振电路、去耦和噪声滤波器以及直流电源线应用的最佳选择。

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