纳微半导体下一代采用GaNSense技术的GaNFast氮化镓功率芯片产品，对潜在的系统故障模式提供了高度准确和有效的防护。

再加上对高达800V的瞬态电压的免疫力以及严格的栅极波形控制和电压调节，这些功能只有通过我们专有的工艺设计套件才能实现，重新定义了功率半导体中可靠性、坚固性和性能的新标准。

采用GaNSense技术的新一代纳微 GaNFast 氮化镓功率芯片有十个型号，他们都集成了氮化镓功率器件、氮化镓驱动、控制和保护的核心技术，所有产品的额定电压为650V/800V，具有2kV ESD保护。

支持四个数字滤波器,用于Sigma-Delta调制器(DFSDM).此外还可提供多达24个电容性检测通路.主要用在财产跟踪,计量和车队管理服务.

在GDDR的设计之初，其定位是针对图形显示卡所特别优化的一种DDR内存。因为2000年后电脑游戏特别是3D游戏的发展和火爆，使运行电脑游戏的显卡需要有大量的高速图像数据交互需求，GDDR在这种情况下应运而生。

直流转换始终是开关模式电源的一个不可分割的元素，包括直接转换或作为中间级，但是这些年来，功率电平和电压电平发生了显著变化。

早期的设备电源会将经过整流的主电源交流电转换成12V直流电等，以便用于模拟和一般用途，还可以相对宽松地转换成5V稳压电，用于TTL逻辑电路。现在，大部分功率都是数字电路电源轨消耗的，这些电源轨需要更准确，而且通常不到1V。

对于同样的功率，当使用低压时，电流电平会增加，造成更高的互联损耗。此外，传统整流器二极管等固定压降更大程度上变成了终端电压的一部分，造成了更多的损耗。

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