新型ELCRES™ HTV150电容薄膜，该产品专门针对高温高压的专业级电容器应用而开发，例如：用于混动、插电式混动和纯电动汽车（xEV）的牵引逆变器。

这一创新型解决方案填补了现有电容薄膜在 135-150°C工作温度范围内的重大性能差距，并可充分发挥碳化硅（SiC）逆变器技术的功率和里程优势。

此外，公司还将重点介绍其在整个价值链上开展的协作，旨在通过这种电容薄膜支持电容器生产并提升其性能。

制造商: Infineon

产品种类: MOSFET

RoHS: 详细信息

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: TO-263-3

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 60 V

Id-连续漏极电流: 80 A

Rds On-漏源导通电阻: 6.4 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 16 V, + 16 V

Qg-栅极电荷: 58 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 175 C

Pd-功率耗散: 79 W

商标名: OptiMOS

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

封装: Reel

配置: Single

高度: 4.4 mm

长度: 10 mm

系列: OptiMOS-T2

晶体管类型: 1 N-Channel

宽度: 9.25 mm

商标: Infineon Technologies

下降时间: 8 ns

产品类型: MOSFET

上升时间: 3 ns

工厂包装数量: 1000

子类别: MOSFETs

典型关闭延迟时间: 50 ns

典型接通延迟时间: 10 ns

零件号别名: SP000415572 IPB8N6S4L7XT IPB80N06S4L07ATMA1

单位重量: 4 g

1Gbps DDR-I SDRAM存储器给它的主要客户，支持下一代图像处理芯片组。

这种高速DDR-I SDRAM 产品，是业界第一个速度为500MHz（1Gbps）,32位宽I/O口和144针FBGA封装的产品。它支持台式计算机，工作站图像，交换和路由器的高速度应用。

这种新产品是DDR-I产品线中速度最高的，和DDR-I板兼容。Hynix公司预测，速度，兼容性和估计成本都比DDR-II好10%，很快会被图像和网络产业所接受。

在尽可能低的价格提供最高的性能，是区分终端产品的关键。500MHz的DDR-I能做到这一点。

(素材来源：eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢）