IRLR7821的栅电荷降低30%很适合用作控制MOSFET
发布时间:2021/10/12 22:54:06 访问次数:1074
IRLR7833也可用在绝缘转换器的次级同步整流,它的RDS(on)降低50%,很适合用作同步MOSFET。而IRLR7821的栅电荷降低30%,很适合用作控制MOSFET。
这两个新型MOSFET设计用在服务器,台式计算机,笔记本电脑以及网络和通信设备的点负载(POL)转换器中的同步降压转换器。
新器件有20V栅额定电压,有更好的耐用性。在台式计算机和VRM设计以及笔记本电脑的应用中,每相需要高达20A的电流,D-Pak封装广泛应用在同步FET中。
制造商:ON Semiconductor 产品种类:MOSFET 技术:Si 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SO-8 晶体管极性:N-Channel 通道数量:1 Channel Vds-漏源极击穿电压:60 V Id-连续漏极电流:235 A Rds On-漏源导通电阻:1.5 mOhms Vgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 V Vgs th-栅源极阈值电压:1.2 V Qg-栅极电荷:91 nC 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 175 C Pd-功率耗散:3.8 W 通道模式:Enhancement 封装:Cut Tape 封装:MouseReel 封装:Reel 配置:Single 商标:ON Semiconductor 产品类型:MOSFET 工厂包装数量:1500 子类别:MOSFETs 单位重量:750 mg
Agilent在单片CMOS芯片上集成了多于50个2.5Gbps发送和接收通道,以后又生产了有36个多速率SerDes通道的ASIC,工作在高达3.125Gbps。
Agilent的新型嵌入式SerDes核有业界最低的抖动性能。抖动性能衡量网络元件工作的好坏-抖动越低越好。网络中引起的任何相位变化或抖动都能降低传输的质量,码误差和数据丢失。
HEXFET30V功率MOSFETIRLR7833和IRLR7821,采用D-Pak引脚,有业界最低的导通电阻RDS(on),和同类产品相比,使得它在DC/DC转换器中的效率提高2.5%,元件数量减少25%。
(素材来源:eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢)
IRLR7833也可用在绝缘转换器的次级同步整流,它的RDS(on)降低50%,很适合用作同步MOSFET。而IRLR7821的栅电荷降低30%,很适合用作控制MOSFET。
这两个新型MOSFET设计用在服务器,台式计算机,笔记本电脑以及网络和通信设备的点负载(POL)转换器中的同步降压转换器。
新器件有20V栅额定电压,有更好的耐用性。在台式计算机和VRM设计以及笔记本电脑的应用中,每相需要高达20A的电流,D-Pak封装广泛应用在同步FET中。
制造商:ON Semiconductor 产品种类:MOSFET 技术:Si 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SO-8 晶体管极性:N-Channel 通道数量:1 Channel Vds-漏源极击穿电压:60 V Id-连续漏极电流:235 A Rds On-漏源导通电阻:1.5 mOhms Vgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 V Vgs th-栅源极阈值电压:1.2 V Qg-栅极电荷:91 nC 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 175 C Pd-功率耗散:3.8 W 通道模式:Enhancement 封装:Cut Tape 封装:MouseReel 封装:Reel 配置:Single 商标:ON Semiconductor 产品类型:MOSFET 工厂包装数量:1500 子类别:MOSFETs 单位重量:750 mg
Agilent在单片CMOS芯片上集成了多于50个2.5Gbps发送和接收通道,以后又生产了有36个多速率SerDes通道的ASIC,工作在高达3.125Gbps。
Agilent的新型嵌入式SerDes核有业界最低的抖动性能。抖动性能衡量网络元件工作的好坏-抖动越低越好。网络中引起的任何相位变化或抖动都能降低传输的质量,码误差和数据丢失。
HEXFET30V功率MOSFETIRLR7833和IRLR7821,采用D-Pak引脚,有业界最低的导通电阻RDS(on),和同类产品相比,使得它在DC/DC转换器中的效率提高2.5%,元件数量减少25%。
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