接触器使用KM控制模块有效解决常见接触器抗晃电能力差
发布时间:2023/1/29 10:32:21 访问次数:60
1Gbps DDR-I SDRAM存储器给它的主要客户，支持下一代图像处理芯片组。
这种高速DDR-I SDRAM 产品，是业界第一个速度为500MHz（1Gbps）,32位宽I/O口和144针FBGA封装的产品。它支持台式计算机，工作站图像，交换和路由器的高速度应用。
这种新产品是DDR-I产品线中速度最高的，和DDR-I板兼容。Hynix公司预测，速度，兼容性和估计成本都比DDR-II好10%，很快会被图像和网络产业所接受。
在尽可能低的价格提供最高的性能，是区分终端产品的关键�500MHz的DDR-I能做到这一点。
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TO-263-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 75 V
Id-连续漏极电流: 80 A
Rds On-漏源导通电阻: 6.5 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 3 V
Qg-栅极电荷: 180 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 300 W
通道模式: Enhancement
资格: AEC-Q101
商标名: OptiMOS
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
配置: Single
高度: 4.4 mm
长度: 10 mm
晶体管类型: 1 N-Channel
宽度: 9.25 mm
商标: Infineon Technologies
下降时间: 30 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 50 ns
工厂包装数量: 1000
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 61 ns
典型接通延迟时间: 26 ns
零件号别名: IPB8N8S27XT SP000219048 IPB80N08S207ATMA1
单位重量: 4 g
系统资源变换，时钟产生，中断控制和总线接口有轻型集成模快(LIM)来管理。
接触器使用的KM系列控制模块，有效解决了常见的接触器抗晃电能力差，型号管理成本高，能量损耗大等问题。
(素材来源：eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢）
上海德懿电子科技有限公司 www.deyie.com
1Gbps DDR-I SDRAM存储器给它的主要客户，支持下一代图像处理芯片组。
这种高速DDR-I SDRAM 产品，是业界第一个速度为500MHz（1Gbps）,32位宽I/O口和144针FBGA封装的产品。它支持台式计算机，工作站图像，交换和路由器的高速度应用。
这种新产品是DDR-I产品线中速度最高的，和DDR-I板兼容。Hynix公司预测，速度，兼容性和估计成本都比DDR-II好10%，很快会被图像和网络产业所接受。
在尽可能低的价格提供最高的性能，是区分终端产品的关键�500MHz的DDR-I能做到这一点。
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TO-263-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 75 V
Id-连续漏极电流: 80 A
Rds On-漏源导通电阻: 6.5 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 3 V
Qg-栅极电荷: 180 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 300 W
通道模式: Enhancement
资格: AEC-Q101
商标名: OptiMOS
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
配置: Single
高度: 4.4 mm
长度: 10 mm
晶体管类型: 1 N-Channel
宽度: 9.25 mm
商标: Infineon Technologies
下降时间: 30 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 50 ns
工厂包装数量: 1000
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 61 ns
典型接通延迟时间: 26 ns
零件号别名: IPB8N8S27XT SP000219048 IPB80N08S207ATMA1
单位重量: 4 g
系统资源变换，时钟产生，中断控制和总线接口有轻型集成模快(LIM)来管理。
接触器使用的KM系列控制模块，有效解决了常见的接触器抗晃电能力差，型号管理成本高，能量损耗大等问题。
(素材来源：eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢）
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