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接触器使用KM控制模块有效解决常见接触器抗晃电能力差

发布时间:2021/10/13 23:45:21 访问次数:55

1Gbps DDR-I SDRAM存储器给它的主要客户,支持下一代图像处理芯片组。

这种高速DDR-I SDRAM 产品,是业界第一个速度为500MHz(1Gbps),32位宽I/O口和144针FBGA封装的产品。它支持台式计算机,工作站图像,交换和路由器的高速度应用。

这种新产品是DDR-I产品线中速度最高的,和DDR-I板兼容。Hynix公司预测,速度,兼容性和估计成本都比DDR-II好10%,很快会被图像和网络产业所接受。

在尽可能低的价格提供最高的性能,是区分终端产品的关键。500MHz的DDR-I能做到这一点。


制造商: Infineon

产品种类: MOSFET

RoHS: 详细信息

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: TO-263-3

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 75 V

Id-连续漏极电流: 80 A

Rds On-漏源导通电阻: 6.5 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 3 V

Qg-栅极电荷: 180 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 175 C

Pd-功率耗散: 300 W

通道模式: Enhancement

资格: AEC-Q101

商标名: OptiMOS

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

封装: Reel

配置: Single

高度: 4.4 mm

长度: 10 mm

晶体管类型: 1 N-Channel

宽度: 9.25 mm

商标: Infineon Technologies

下降时间: 30 ns

产品类型: MOSFET

上升时间: 50 ns

工厂包装数量: 1000

子类别: MOSFETs

典型关闭延迟时间: 61 ns

典型接通延迟时间: 26 ns

零件号别名: IPB8N8S27XT SP000219048 IPB80N08S207ATMA1

单位重量: 4 g


MC9S12B128的标准片上外设接口有16位CPU(CPU12),128KB闪存EEPROM,4KB RAM,1KB EEPROM,两个异步串行通信接口(SCI),串行外设接口(SPI),输入捕获/输出比较计时器(TIM),16通道10位模数转换器(ADC),8通道脉宽调制器(PWM)和一个CAN 2.0 A,B软件兼容的模块(MSCAN12)。

系统资源变换,时钟产生,中断控制和总线接口有轻型集成模快(LIM)来管理。

接触器使用的KM系列控制模块,有效解决了常见的接触器抗晃电能力差,型号管理成本高,能量损耗大等问题。

(素材来源:eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢)

1Gbps DDR-I SDRAM存储器给它的主要客户,支持下一代图像处理芯片组。

这种高速DDR-I SDRAM 产品,是业界第一个速度为500MHz(1Gbps),32位宽I/O口和144针FBGA封装的产品。它支持台式计算机,工作站图像,交换和路由器的高速度应用。

这种新产品是DDR-I产品线中速度最高的,和DDR-I板兼容。Hynix公司预测,速度,兼容性和估计成本都比DDR-II好10%,很快会被图像和网络产业所接受。

在尽可能低的价格提供最高的性能,是区分终端产品的关键。500MHz的DDR-I能做到这一点。


制造商: Infineon

产品种类: MOSFET

RoHS: 详细信息

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: TO-263-3

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 75 V

Id-连续漏极电流: 80 A

Rds On-漏源导通电阻: 6.5 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 3 V

Qg-栅极电荷: 180 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 175 C

Pd-功率耗散: 300 W

通道模式: Enhancement

资格: AEC-Q101

商标名: OptiMOS

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

封装: Reel

配置: Single

高度: 4.4 mm

长度: 10 mm

晶体管类型: 1 N-Channel

宽度: 9.25 mm

商标: Infineon Technologies

下降时间: 30 ns

产品类型: MOSFET

上升时间: 50 ns

工厂包装数量: 1000

子类别: MOSFETs

典型关闭延迟时间: 61 ns

典型接通延迟时间: 26 ns

零件号别名: IPB8N8S27XT SP000219048 IPB80N08S207ATMA1

单位重量: 4 g


MC9S12B128的标准片上外设接口有16位CPU(CPU12),128KB闪存EEPROM,4KB RAM,1KB EEPROM,两个异步串行通信接口(SCI),串行外设接口(SPI),输入捕获/输出比较计时器(TIM),16通道10位模数转换器(ADC),8通道脉宽调制器(PWM)和一个CAN 2.0 A,B软件兼容的模块(MSCAN12)。

系统资源变换,时钟产生,中断控制和总线接口有轻型集成模快(LIM)来管理。

接触器使用的KM系列控制模块,有效解决了常见的接触器抗晃电能力差,型号管理成本高,能量损耗大等问题。

(素材来源:eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢)
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