SABIC与客户密切协作，积极推动电容器技术发展。我们希望将自己独特的改性树脂，超薄膜专业知识和客户的电容器生产经验相结合，从而打造出功能更加强大的解决方案。

我们耐高温的ELCRES HTV150薄膜就是一个很好的例子，它说明我们始终大力支持开发更强大、更高效的电容器，以满足从电动汽车到能源等诸多行业的严苛需求。

SABIC的ELCRES HTV150电容薄膜属于业界首创产品，在-40°C至 +150°C的工作温度和高达100kHz的频率下具备稳定的性能，同时还可以提供稳定的电容、极高的绝缘电阻、稳定的介电常数（Dk）和极低的损耗因子（Df）。

产品种类: MOSFET

RoHS: 详细信息

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: TO-263-3

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 60 V

Id-连续漏极电流: 80 A

Rds On-漏源导通电阻: 3.9 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 16 V, + 16 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 1.2 V

Qg-栅极电荷: 110 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 175 C

Pd-功率耗散: 107 W

通道模式: Enhancement

商标名: OptiMOS

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

封装: Reel

配置: Single

高度: 4.4 mm

长度: 10 mm

系列: OptiMOS-T2

晶体管类型: 1 N-Channel

宽度: 9.25 mm

商标: Infineon Technologies

下降时间: 13 ns

产品类型: MOSFET

上升时间: 4 ns

工厂包装数量: 1000

子类别: MOSFETs

典型关闭延迟时间: 80 ns

典型接通延迟时间: 14 ns

零件号别名: IPB8N6S4L5XT SP000415570 IPB80N06S4L05ATMA1

单位重量: 4 g

EM7602能代替标准的晶体，解决了小型化问题，或者和晶体有关的难于解决的问题。

振荡器用作数字系统的通用时钟发生器，也可用在电表和汽车电子（仪表盘）中。它也可代替晶体，用作实时时钟的输入时钟驱动器以及在EM微控制器中驱动外接时钟。

微控制器制造商也能把它加在一个电路中。

EM7602在3V时有低功耗，典型值为6 μA，热补偿的温漂为-0.012 ppm/C2。晶振和IC装配在紧凑的SMD封装内。

(素材来源：eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢）