MCP6C02是零飘移高边电流检测放大器,具有增益20, 50和100 V/V.

共模输入范围(VIP)是+3V到+65V,差分模式输入范围(VDM = VIP – VIM)支持单向和双向应用.器件的电源在2.0V和5.5V间.

SOT-23封装的器件工作温度-40C到 +125C (E-温度),而3×3 VDFN封装的器件工作温度-40C到 +150C (H温度).

零飘移架构支持非常低的输入误差,允许设计采用并联电阻的值较低,从而更低的功耗.

FET 类型N 通道技术MOSFET（金属氧化物）25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)17A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）4.5V，10V不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）3.2 毫欧 @ 25A，10V不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）1.8V @ 250μAVgs（最大值）±12VFET 功能-功率耗散（最大值）1.6W（Ta）工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型表面贴装型供应商器件封装8-SO封装/外壳8-SOIC（0.154""，3.90mm 宽）漏源电压（Vdss）30V不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）80nC @ 4.5V不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）8340pF @ 15V

得益于外部25MHz采样频率，这两款调制器适合处理带宽非常宽的输入信号，具有出色的高频信号处理能力和测量精度，为最新的基于碳化硅(SiC)等先进功率技术的逆变器和快速开关在高分辨率电机控制系统中的应用做好了准备。

通过单片集成ADC和隔离式UART外设功能，ISOSD61和ISOSD61L有助于减少物料清单成本，并提高抗噪性和可靠性，降低最终应用的总体成本。

不需要分立式电流检测传感器，因为可以使用更小的电流采样电阻芯片。

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