100G和400G光链路和模块技术的采用芯片的面积与功耗
发布时间:2021/5/6 21:45:50 访问次数:1478
100G和400G光链路和模块技术的采用。该公司正在为每一个lambda收发器部署完整的100G系列产品,以建立高性能数据中心、云和无线连接。
作为其以客户为中心和以合作伙伴为中心宗旨的一部分, Molex莫仕支持符合IEEE和MSA要求的完整产品组合和产品路线图,以满足数据中心内部互连和数据中心互连的要求。
扩展的光收发器系列包括100G-DR、100G-FR、100G-LR、400G-DR4(500m和2km)、400G-FR4、400G-ZR和400G-ZR+以及800G路线图产品。
安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:TO-263-3晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:800 VId-连续漏极电流:17 ARds On-漏源导通电阻:290 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 VVgs th-栅源极阈值电压:2.1 VQg-栅极电荷:88 nC最小工作温度:- 55 C最大工作温度:+ 150 CPd-功率耗散:227 W高度:4.4 mm长度:10 mm系列:晶体管类型:1 N-Channel宽度:9.25 mm下降时间:12 ns产品类型:MOSFET上升时间:15 ns1000子类别:MOSFETs典型关闭延迟时间:72 ns典型接通延迟时间:25 ns单位重量:4 g
布线阶段完成全局布线(global routing)、详细布线(detail rout-ing)和检查与修正(search&repair),然后采用拓扑算法对布线进行优化,同时对电流漏功耗进行优化。
为了防止天线效应的发生,在芯片完成阶段对芯片进行了天线效应修复设计,此时芯片中依然存在空白区域,需要填充filer 以满足DRC 的要求。
芯片的物理设计版图,芯片的面积与功耗,可见总面积为2 794 371.012 703 μm2,总功耗为11.635 4 mW.经过仿真后证明芯片于50 MHz时钟频率下正常工作,满足设计要求,证明本次设计是正确有效的。
(素材来源:ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢)
100G和400G光链路和模块技术的采用。该公司正在为每一个lambda收发器部署完整的100G系列产品,以建立高性能数据中心、云和无线连接。
作为其以客户为中心和以合作伙伴为中心宗旨的一部分, Molex莫仕支持符合IEEE和MSA要求的完整产品组合和产品路线图,以满足数据中心内部互连和数据中心互连的要求。
扩展的光收发器系列包括100G-DR、100G-FR、100G-LR、400G-DR4(500m和2km)、400G-FR4、400G-ZR和400G-ZR+以及800G路线图产品。
安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:TO-263-3晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:800 VId-连续漏极电流:17 ARds On-漏源导通电阻:290 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 VVgs th-栅源极阈值电压:2.1 VQg-栅极电荷:88 nC最小工作温度:- 55 C最大工作温度:+ 150 CPd-功率耗散:227 W高度:4.4 mm长度:10 mm系列:晶体管类型:1 N-Channel宽度:9.25 mm下降时间:12 ns产品类型:MOSFET上升时间:15 ns1000子类别:MOSFETs典型关闭延迟时间:72 ns典型接通延迟时间:25 ns单位重量:4 g
布线阶段完成全局布线(global routing)、详细布线(detail rout-ing)和检查与修正(search&repair),然后采用拓扑算法对布线进行优化,同时对电流漏功耗进行优化。
为了防止天线效应的发生,在芯片完成阶段对芯片进行了天线效应修复设计,此时芯片中依然存在空白区域,需要填充filer 以满足DRC 的要求。
芯片的物理设计版图,芯片的面积与功耗,可见总面积为2 794 371.012 703 μm2,总功耗为11.635 4 mW.经过仿真后证明芯片于50 MHz时钟频率下正常工作,满足设计要求,证明本次设计是正确有效的。
(素材来源:ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢)