第二代非易失性静态RAM（nvSRAM）。新一代器件已通过QML-Q和高可靠性工业规格的认证，支持苛刻环境下的非易失性代码存储和数据记录应用，包括航天和工业应用。

256 Kb STK14C88C和1 Mb STK14CA8C nvSRAM采用32引脚300mil双列直插式陶瓷封装，符合MIL-PRF-38535 QML-Q规格（-55°C至125°C）和英飞凌的工业标准（-40 °C至85°C）。

5 V和3 V版本均支持用于航天、通信和导航系统以及工业高炉和铁路控制系统的引导代码、数据记录和校准数据存储。英飞凌还提供晶圆销售，以支持封装系统。

制造商: Infineon

产品种类: MOSFET

RoHS: 详细信息

技术: GaN

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: SO-8

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 30 V

Id-连续漏极电流: 12 A

Rds On-漏源导通电阻: 6.4 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 1.56 W

通道模式: Enhancement

封装: Cut Tape

封装: Reel

配置: Single

高度: 1.75 mm

长度: 4.9 mm

晶体管类型: 1 N-Channel

宽度: 3.9 mm

商标: Infineon Technologies

下降时间: 5.8 ns

产品类型: MOSFET

上升时间: 5.8 ns

工厂包装数量: 2500

子类别: MOSFETs

典型关闭延迟时间: 29 ns

典型接通延迟时间: 6.7 ns

零件号别名: BSO064N03SXT

单位重量: 540 mg

新款1 C型转换继电器，这一新设计既节省了空间，又简化了设计。

高压信号需要路由到交替点、极性反转、电容器充电或放电，高压转换继电器（SPDT/C型）将是理想的解决方案。

通常使用两个常开（SPST/A型）高压继电器，确保其中任何一个开关在闭合前另一个开关总是先断开。相比于用一个继电器的方案，用两个继电器就需要两倍的PCB空间，而且容易造成复杂的驱动问题。

(素材来源：ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢）