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霍尔阵列读数低于满量程±0.05%的输出失调温度漂移

发布时间:2021/5/4 23:56:50 访问次数:613

在CUR 4000的线性模式下,可配置的霍尔元件阵列可实现有核杂散场鲁棒传感器模块设计的高精度测量。差模可实现无屏蔽的最小无核和杂散场鲁棒系统设计。

完整的霍尔阵列读数可达到低于满量程±0.05%的输出失调温度漂移。

此外,传感器还提供无磁滞的输出信号。±0.2%的非线性误差和满量程的±0.005%的噪声性能允许在高达8kHz的信号带宽下进行精确的电流测量。

TDK使用成熟的霍尔传感器技术来构造CUR4000。

制造商:STMicroelectronics 产品种类:双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-23-3 晶体管极性:PNP 配置:Single 集电极—发射极最大电压 VCEO:45 V 集电极—基极电压 VCBO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 5 V 最大直流电集电极电流:0.5 A Pd-功率耗散:300 mW 增益带宽产品fT:80 MHz 最小工作温度:- 65 C 最大工作温度:+ 150 C 封装:Cut Tape 封装:Reel 直流电流增益 hFE 最大值:600 高度:0.95 mm 长度:2.9 mm 技术:Si 宽度:1.3 mm 商标:STMicroelectronics 集电极连续电流:0.5 A 产品类型:BJTs - Bipolar Transistors 工厂包装数量3000 子类别:Transistors 单位重量:8 mg

ISO6721-Q1是高性能双路数字隔离器,需要高达5000 VRMS (DWV封装)和3000 VRMS(D封装)隔离额度UL 1577认证的应用.

器件还获得VDE, TUV, CSA和 CQC认证.ISO672x-Q1具有在低功耗时的高电磁免疫度和低辐射性,同时隔离CMOS或LVCMOS数字I/O.

每个隔离通路有逻辑输入和输出缓冲器,它们由TI的双层容性二氧化硅(SiO2)绝缘层隔离.

ISO6720-Q1器件在同一方向有两路,而ISO6721-Q1有两个隔离通路,一路在每个方向.

(素材来源:ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢)

在CUR 4000的线性模式下,可配置的霍尔元件阵列可实现有核杂散场鲁棒传感器模块设计的高精度测量。差模可实现无屏蔽的最小无核和杂散场鲁棒系统设计。

完整的霍尔阵列读数可达到低于满量程±0.05%的输出失调温度漂移。

此外,传感器还提供无磁滞的输出信号。±0.2%的非线性误差和满量程的±0.005%的噪声性能允许在高达8kHz的信号带宽下进行精确的电流测量。

TDK使用成熟的霍尔传感器技术来构造CUR4000。

制造商:STMicroelectronics 产品种类:双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-23-3 晶体管极性:PNP 配置:Single 集电极—发射极最大电压 VCEO:45 V 集电极—基极电压 VCBO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 5 V 最大直流电集电极电流:0.5 A Pd-功率耗散:300 mW 增益带宽产品fT:80 MHz 最小工作温度:- 65 C 最大工作温度:+ 150 C 封装:Cut Tape 封装:Reel 直流电流增益 hFE 最大值:600 高度:0.95 mm 长度:2.9 mm 技术:Si 宽度:1.3 mm 商标:STMicroelectronics 集电极连续电流:0.5 A 产品类型:BJTs - Bipolar Transistors 工厂包装数量3000 子类别:Transistors 单位重量:8 mg

ISO6721-Q1是高性能双路数字隔离器,需要高达5000 VRMS (DWV封装)和3000 VRMS(D封装)隔离额度UL 1577认证的应用.

器件还获得VDE, TUV, CSA和 CQC认证.ISO672x-Q1具有在低功耗时的高电磁免疫度和低辐射性,同时隔离CMOS或LVCMOS数字I/O.

每个隔离通路有逻辑输入和输出缓冲器,它们由TI的双层容性二氧化硅(SiO2)绝缘层隔离.

ISO6720-Q1器件在同一方向有两路,而ISO6721-Q1有两个隔离通路,一路在每个方向.

(素材来源:ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢)

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